固态电子器件.pptx

固态电子与器件;Ⅲ-Ⅴ族：由ⅢA的B、Al、Ga、In与ⅤA的N、P、As、Sb形成， 如GaAs、InP、GaN、BN、AlN、GaP、InSb等15种（BSb除外） Ⅱ-Ⅵ族：由ⅡB的Zn、Cd、Hg与ⅥA族的O、S、Se、Te形成， 如ZnO、ZnS、CdS、CdTe、HgS、HgSe、HgTe等;IIIA元素：B 、Al、Ga、In VA元素： N、P、As、Sb 组合形成的化合物15种（BSb除外） 目前得到实用的III-V族化合物半导体 GaN GaP GaAs GaSb InP InAs InSb; 5.5.2 化合物半导体材料的基本特性;2）纤锌矿结构;;;;;Dai Xian-ying;Dai Xian-ying;与Si相比，III-V族二元化合物半导体的独特性质 1. 带隙较大，大部分室温时＞1.1eV，因而所制造的 器件耐受较大功率，工作温度更高 2. 大都为直接跃迁型能带，因而其光电转换效率高， 适合制作光电器件，如LED、LD、太阳电池等。 GaP虽为间接带隙，但Eg 较大(2.25eV)，掺入等电 子杂质所形成的束缚激子发光仍可得到较高的发光 效率。是红(Zn-O、Cd-O)、黄(Bi)、绿(N)光LED 的主要材料之一 3. 电子迁移率高，很适合制备高频、高速器件;超晶格: Esaki和Tsu（江崎和朱兆祥）在1969年提出了超晶格概念，设想将两种不同组分或不同掺杂的半导体超薄层A和B交替叠合生长在衬底上，使在外延生长方向形成附加的晶格周期性。 ;超晶格多量子阱能带结构示意图;超晶格分类;（1）组分调制超晶格 在超晶格结构中，如果超晶格的重复单元是由不同半导体材料的薄膜堆垛而成，则称为组分超晶格。在组分超晶格中，由于构成超晶格的材料具有不同的禁带宽度，在异质界面处将发生能带的不连续。; 按异质结中两种材料导带和价带的对准情况，江崎把异质结分为三类： Ⅰ型异质结: 窄带材料的禁带完全落在宽带材料的禁带中，ΔEc和ΔEv的符号相反。不论对电子还是空穴，窄带材料都是势阱，宽带材料都是势垒，即电子和空穴被约束在同一材料中。载流子复合发生在窄带材料一侧。 GaAlAs/GaAs和InGaAsP/InP都属于这一种。;Ⅱ型异质结（ΔEc和ΔEv的符号相同），分两种： *ⅡA类超晶格：材料1的导带和价带都比材料2的低，禁带是错开的。材料1是电子的势阱，材料2是空穴的势阱。电子和空穴分别约束在两材料中。超晶格具有间接带隙的特点，跃迁几率小，如GaAs/AlAs超晶格。;;;（1）I类红外超晶格材料 利用量子遂穿效应，形成垂直于层面的电流－－超晶格材料。 AlGaAs/GaAs;量子红外探测器（QWIP）是利用较宽带材料制作的，并且采用了量子阱结构。;（2）II类应变红外超晶格材料 由于InAsSb和InSb之间的晶格常数相关较大，因些属于应变超晶格结构。;用MBE或MOCVD工艺在衬底上生长缓冲层。这种材料应用如下特点： 键强度好，结构稳定； 均匀性好； 波长易控制； 有效质量大； 隧道电流小；;（3）III类红外超晶格材料 以 Hg 为基础的超晶格材料。交替生长HgTe和CdTe薄层。特点如下：; InSb是一种直接跃迁型窄带宽化合物半导体，具有电子迁移率高和电子有效质量小的特点。 它适于制备光伏型、光导型和光磁电型三种工作方式的探测器，各自有不同的特点优势。 提纯工艺和单晶制备工艺的发展，到上个世纪中期，用优质InSb单晶制备单元光电探测器已达到背景限。 红外光电技术的发展使其经历了从单元向多元、从多元线列向红外焦平面阵列 IRFPA发展的过程。 InSb薄膜有同质外延与异质外延之分，前者已经有人用磁控溅射法和MBE法进行了生长。; GaN基III-V族氮化物宽带隙半导体通常是GaN、AlN和InN等材料。禁带宽度一般在2eV以上。 其结构上具有多型性，上面三种通常都表现为纤锌矿2H型结构，也可以形成亚稳态的3C结构。氮化物材料的外延生长主要是基于金属有机物气相外延和MBE方法。 GaN是直接带隙材料，在禁带宽度以上材料的光吸收系数增加很快，因此表面效应影响较大，设计和制造时要注意。 III-V族氮化物用于紫外光电探测器的另一个特点是：此材料可以用外延生长方法形成三元合金体系，并改变三族元素的组分比例。　　; 为了获得高质量的薄膜，需要有一种理想的衬底材料，它应该与GaN有着完美的晶格匹配和热匹配。SiC、MgO和ZnO等是与氮化物匹配性较好的材料。 蓝宝石，具有六角对称性，容易加工，虽然与GaN之间的晶格失配较大，但适当的缓冲层的