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学号： 常 州 大 学 毕业设计（论文）开题报告 （20届） 题 目 PMN-PT铁电薄膜的制备 学 生 学 院 材料科学与工程学院 专 业 班 级 校内指导教师 专业技术职务 讲师 校外指导老师 无 专业技术职务 无 二一年三月 2 1、铁电薄膜的研究现状和前景分析 2 2、铁电薄膜的主要类别及其制备工艺方法 3 （1）物理制备方法 3 （2）化学制备方法 4 二、磁控溅射法 5 1、磁控溅射法中影响薄膜生长的因素及作用机理 5 2、磁控溅射法的基本原理及应用 5 （1）磁控溅射法的基本原理及其优点 5 （2）磁控溅射方法的分类及试验方法的确定 6 （3）磁控溅射法制备薄膜的基本流程及基本流程的选取 6 3、影响薄膜生长和性能的一些因素 7 三、PMNT的生长性能及应用 7 1、PMNT陶瓷概述 8 2、单晶生长中的基础问题研究 8 3、PMNT单晶的结构与性能研究 9 四、掺杂体对薄膜性能的影响 10 五、实验过程中可能用到的方法仪器、研究目标、内容以及拟解决问题 10 六、研究方 11 七、主要参考文献 11 一、铁电薄膜综述 1、铁电薄膜的研究现状和前景分析 铁电薄膜是具有铁电性且厚度在数十纳米至数微米的薄膜材料[1]。近年来对铁电薄膜的性能，应用和制备的研究已成为国际上新颖功能材料与器件的一个新热点。这不仅是因为薄膜材料几何设计的可塑性，更重要的是铁电薄膜具有优越的电极化特性、热释电效应、压电效应、电光效应、高解电系数和非线性光学性质等一系列特殊性质，可以利用这些性质制作不同的功能器件，并有望通过铁电薄膜材料与其它材料的集成或复合，制作集成性器件。随着铁电薄膜制备技术的发展，使现代微电子技术与铁电薄膜的多种功能相结合，必将开发出众多新型功能器件，促进新兴技术的发展，因此对铁电薄膜的研究已成为国内外上新材料研究中的一个十分活跃的领域[2]。 在铁电薄膜的众多应用中，铁电存储器尤其引人注目铁电薄膜存储器既有动态随机存储器（DRAM）快速读写功能，又有可擦除只读存储器（EPROM）的非易失性，还具有抗辐射、功耗和工作电压低、工作温度范围宽、易与大规模集成电路兼容等特点，因而在铁电随机存储器（FRAM）、超大规模集成动态随机存储器（ULSI DRAM）、铁电存储器全光存储器等领域有广阔的应用前景[3]。 表1 铁电薄膜常用制备方法及特点 方法 MOCVD 溅射法 PLD Sol-Gel 膜材料 溶液 陶瓷 晶体 溶液 成膜温度 低 低 低 低 制备时间 短 短 短 长 沉积温度 沉积温度 室温-700 室温-700 室温 退火温度 500-800 500-700 500-700 500-700 膜厚 薄 薄 薄 薄 组分分布 均匀 均匀 均匀 均匀 组分 保持 保持 保持 偏离 晶化方式 后续退火 后续退火 后续退火 后续退火 结晶性能 高取向 高取向 高取向 高取向 致密度 一般 一般 好 好 设备损耗 高 高 高 高 [6]主要有物理气相沉积和化学气相沉积等方法，随着技术的发展，薄膜的制备手段向多元化发展，各种辅助技术也层出不穷。溅射沉积法由于速率快、均一性好、与基片附着力强、比较容易控制化学剂量比及膜厚 等优点，成为制备薄膜的重要手段，它可以在任何材料的基片上沉积任何材料的薄膜。因此溅射法在新材料的发现、新功能应用、新器件制作方面起着越来越重要的作用[6]。 薄膜的性质由制备工艺所控制，采用采用磁控溅射法制备的薄膜，其性质通过相应的参数变化进行控制。 2、磁控溅射法的基本原理及应用 （1）磁控溅射法的基本原理及其优点 磁控溅射是在磁场控制下的产生辉光放电，在溅射室内加上与电场垂直的正交磁场，以磁场来改变电子的运动方向，使磁控靶表面的电子作旋轮线运动，这样，电子能够在靶面附近滞留较久的时间而有较多的机会去撞击溅射气体原子，从而提高电子对工作气体的电离几率和有效利用电子的能量，经多次碰撞后的电子能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚最终落在基片、真空室内壁等地方。其具体工作原理如图1所示，在阳极与阴极之间加一正交电磁场，电子e在电场的作用下，与氩原子碰撞，电离出Ar+和二次电子e1。靶材受到高速Ar+轰击后逸出的中性粒子向衬底迁移，到达衬底表面之后，经过吸附、凝结、表面扩散迁移、碰撞结合形成稳定晶核，晶粒长大后互相联结聚集，最后形成连续状薄膜。[7] 磁控溅射法的主要优点有：1)由于电磁场的作用，电子与放电气体的