场效应管工作原理与应用.ppt

* 　　场效应管电路分析方法与三极管电路分析方法相似，可以采用估算法分析电路直流工作点；采用小信号等效电路法分析电路动态指标。 3.1.5　MOS 管电路分析方法 　　场效应管估算法分析思路与三极管相同，只是由于两种管子工作原理不同，从而使外部工作条件有明显差异。因此用估算法分析场效应管电路时，一定要注意自身特点。 估算法 * MOS 管截止模式判断方法 假定 MOS 管工作在放大模式： 放大模式 非饱和模式(需重新计算 Q 点) N 沟道管：VGS VGS(th) P 沟道管：VGS VGS(th) 截止条件 非饱和与饱和(放大)模式判断方法 a)由直流通路写出管外电路 VGS与 ID 之间关系式。 c)联立解上述方程，选出合理的一组解。 d)判断电路工作模式： 若 |VDS| |VGS–VGS(th)| 若 |VDS| |VGS–VGS(th)| b)利用饱和区数学模型： * 例 1　已知 ?nCOXW/(2l) = 0.25 mA/V2，VGS(th)= 2 V，求 ID 。 解： 假设 T 工作在放大模式 VDD (+20 V) 1.2 M? 4 k? T S RG1 RG2 RD RS 0.8 M? 10 k? G ID 代入已知条件解上述方程组得： ID = 1 mA VGS = 4 V 及 ID = 2.25 mA VGS = -1 V (舍去) VDS = VDD - ID (RD + RS) = 6 V 因此 验证得知： VDS VGS–VGS(th) ， VGS VGS(th)， 假设成立。 * 小信号等效电路法 　　场效应管小信号等效电路分法与三极管相似。 利用微变等效电路分析交流指标。 画交流通路； 将 FET 用小信号电路模型代替； 计算微变参数 gm、rds； 注：具体分析将在第 4 章中详细介绍。 * 3.2　结型场效应管 JFET 结构示意图及电路符号 S G D S G D P + P + N G S D N 沟道 JFET P 沟道 JFET N + N + P G S D * N沟道 JFET 管外部工作条件 VDS 0 (保证栅漏 PN 结反偏) VGS 0 (保证栅源 PN 结反偏) 3.2.1　JFET 管工作原理 P + P + N G S D + VGS VDS + - * VGS 对沟道宽度的影响 |VGS | ? 阻挡层宽度? 若 |VGS | 继续? 沟道全夹断 使 VGS = VGS (off) 夹断电压 若 VDS = 0 N G S D + VGS P + P + N 型沟道宽度? 沟道电阻 Ron? * VDS 很小时 → VGD ? VGS 由图 VGD = VGS - VDS 因此 VDS?→ID 线性 ? 若 VDS ?→则 VGD ?→ 近漏端沟道? → Ron 增大。 此时 Ron ?→ID ? 变慢 VDS 对沟道的控制(假设 VGS 一定) N G S D + VGS P + P + VDS + - 此时 W 近似不变 即 Ron 不变 * 当 VDS 增加到使 VGD ? = VGS(off) 时 → A 点出现预夹断 若 VDS 继续?→A 点下移 → 出现夹断区 此时 VAS = VAG + VGS = -VGS(off) + VGS (恒定) 若忽略沟道长度调制效应，则近似认为 l 不变(即 Ron不变)。 因此预夹断后： VDS ? →ID 基本维持不变。 N G S D + VGS P + P + VDS + - A N G S D + VGS P + P + VDS + - A * 　　利用半导体内的电场效应，通过栅源电压 VGS的变化，改变阻挡层的宽窄，从而改变导电沟道的宽窄，控制漏极电流 ID。 JFET 工作原理： 　　综上所述，JFET 与 MOSFET 工作原理相似，它们都是利用电场效应控制电流，不同之处仅在于导电沟道形成的原理不同。 * NJFET 输出特性 非饱和区(可变电阻区) 特点： ID 同时受 VGS 与 VDS 的控制。 条件： VGS VGS(off) V DS VGS – VGS(off) 3.2.2　伏安特性曲线 线性电阻： ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(off) VGS = 0 V -2 V -1. 5 V -1 V -0. 5 V * 饱和区(放大区) 特点： ID 只受 VGS 控