烘烤设计final.doc-sunist.doc

SUNIST球形托卡马克装置的烘烤系统设计 何也熙 2000年8月21日 在磁约束受控核聚变研究中，杂质对等离子体的品质和行为有着极其重要的影响，为此要对装置真空室进行尽量完善的真空处理。烘烤是处理超高真空系统的一项最基本的措施，是控制放电时等离子体中的轻杂质含量、减轻氢再循环的得力手段之一。 出于对真空室热应力和相关材料的考虑，SUNIST的烘烤温度要求不高于150 0C；拟采用正温度系数电阻（PTC）做烘烤的加热元件；采用由多层喷铝复合膜加中空纤维棉做保温材料；采取加热部件固定在真空室上，保温部件可拆卸的结构方式。 烘烤系统的设计包括以下内容：系统的基本热参数，烘烤的基本过程，加热和保温部件考虑。 系统的基本热参数 我们考虑SUNIST装置和超高真空试验台的两个真空室（忽略各窗口及法兰、内筒）。它们的尺寸分别为： SUNIST 外筒直径 1.2米，外筒高 1米，外筒壁厚 6毫米 真空室表面积 ~ 10平米 总质量分别计为： mSUNIST = 500 kg 热容量分别为： HSUNIST = 250000 J/K 烘烤的基本过程 加热元件选用PTC，它的基本特点是其电阻率在居里点（TJ）前后的剧烈变化。这一特性使这种加热元件在温度达到居里点前保持设计的回路电流，而达到居里点时电阻值大大增加并随温度继续增加直至阻断回路。我们希望这一选择能简化对烘烤系统的运行过程的人为干预，简言之，就是要求这一系统即安全又省心、省事。 热源包括了PTC和其安装结构。热源对真空室的加热功率为：加在PTC上的电功率（当PHEAT = GHEAT (TJ–TVESSEL)大于所加电功率时）或PHEAT = GHEAT (TJ–TVESSEL) （当PHEAT = GHEAT (TJ–TVESSEL)小于所加电功率时），式中GHEAT为PTC元件到真空室表面的热导系数，包括了PTC与安装结构间的接触热导、安装结构的热导、安装结构与真空室间的接触热导；TVESSEL为真空室表面（与安装结构接触部分）的温度。在这一系统中初级热源是PTC，它自回路中得到电功率（PPTC），当这一功率小于PHEAT时，TPTC就能保持在居里点的温度（TJ）。我们选择在烘烤的开始阶段热源对真空室的加热功率等于PTC回路的电加热功率。在烘烤过程中，随真空室温度的升高，在PTC居里点与真空室温差传热功率等于电功率后，采用传热功率作为加热功率。 这样的烘烤系统的自然最终平衡烘烤温度（TVMAX）取决于系统的漏热（PLOSS），当它与PHEAT相当时的温度即为TVMAX。系统的漏热功率PLOSS = GLOSS (TVESSEL – TROOM)，它是通过漏热热导系数漏放到室温体系中去的热量。是一极复杂的综合量，包括了种种传到室温表面的过程（如经过保温层、法兰连接管道等等）及室温表面的散热过程（如对流、辐射）。在我们的设计过程肯定要做出大量的有依据的简化。 可以肯定的是热源安装结构热导会远大于系统的漏热热导，如果我们完全放任上述系统的运行过程，TVMAX将十分接近TJ以使热源传热功率等于系统漏热功率，而达到这种平衡状态的时间过程将会很长。如果我们选择的PTC的居里点与要求的烘烤温度相差较大，就必须要找寻可靠、简便的调节方法。传统的调节方法是根据温度测量的结果去调节加热电回路的参数或状态，这是我们希望避免的。较为可行的办法是，当真空室温度达到要求值时，关闭部分PTC使保留加热元件的加热功率等于系统在要求真空室温度的漏热功率，在这种情况下系统的自然平衡温度就将是要求的真空室烘烤温度。保留多少PTC元件，是系统设计的一项重要结果，但必须要通过试验的办法来最终确定。 烘烤的基本过程是： a PTC通电，在其升温同时向真空室传热。起始阶段的通电功率远小于传热功率，PTC元件的温度将在较长时间内低于居里点温度，这一时间取决于加热元件体系的热容和对真空室的热导。 b 分离PTC元件通过安装结构向真空室传递热流，其内部和真空室上的温度场随传热的时间及传热功率的变化而复杂地变化，但总的平均温度在依据一定的规律上升。在这一过程中，随真空室温度的上升，系统的漏热功率也在上升。但由于系统的热时间常数在十小时量级，在小时量级的起始过程中忽略漏热引起的误差将不会大于10%。 c 真空室表面不同位置温度先后达到予设的温度，此时的热源传热功率仍远大于在予设温度下的真空室漏热功率，PTC最大电功率也远大于传热功率，PTC材料的温度将很恒定地保持在居里点附近。PTC的实际电加热功率将调节真空室表面的温度场向均匀方向发展。 采取的假设： a 整个过程的烘烤功率分别考虑为：PPTC（PPTC PHEAT）或PHEAT (PPTC PHEAT)。 b 真空室