湿法腐蚀的优点.pdf

维普资讯 背腐蚀在晶体硅太阳电池生产中的应用 上海交通大学物理系太阳能研究所 苦史伟 孙铁囤 刘志刚 汪建强 安静 叶庆好 摘 要 背腐蚀可以用来代替生产中通常使用的等离子刻蚀将扩散后正面和背面的p-n结分开。本文中背腐蚀使用了HF—HNO3体系， 没有表面保护。用扫描电镜 (SEM)观察了背腐蚀和等离子刻蚀后的表面形貌以及硅 ／铝界面情况，分析了背反射和内量子效应 IQE。用背腐 蚀代替等离子刻蚀后晶体硅太阳电池的Is~,V。c和电池效率都得到了提高。 关键词 背腐蚀 SEM 背反射 IQE 0 引言 HF—HNO。溶液以及其他的添加剂进行背刻蚀。示意图如图1 随着晶体硅太阳电池薄片技术的发展，单体电池越来越 所示。 薄，背面场在太阳电池中的作用也越来越重要 。。。丝网印刷 铝背场被广泛应用于晶体硅太阳电池的制造中，它具有价格 低、产量高的优点。通过光谱响应测量，铝背场太阳电池在长波 段的响应优于硼背场。铝背场在红光和红外光波段的光谱响 囤 1 背腐蚀示意罔 应比硼背场高约 1O％-50％ 。Io但是由于烧结时温度很高，丝 网印刷电极会形成粗糙的铝硅界面 ，这样的界面会降低背面 经过绒面和背腐蚀后，衬底的厚度约为200um，丝网印 的反射率 。快速烧结能得到比较均匀的背场和比较平整的 刷20um的铝层在衬底上，然后在工业生产工艺条件Tq-S,电 界面，均匀的铝背场能提高长波的内量子效率 ，同时增加 池片在网带烧结炉上烧结。用扫描电子显微镜 (SEM )来进行 开路电压。采用高质量的单晶硅、具有均匀的体和背场的太 背腐蚀的表面分析，用积分球和分光计进行反射率的测量。绒 阳电池在长波段的性能更好。背面抛光和背面绒面的硅晶体 面和背腐蚀的SEM 图如图2所示。 与铝相互作用的结果是不同的 。I。背面抛光时形成的铝硅界 面平整一些。 背腐蚀在太阳电池表面有掩膜时可以很有效地将正面和 背面的p—n结分开，这可以用来取代边刻蚀，避免了晶片的碎 裂，同时也避免了使用毒性气体CF。本文研究了在不使用掩 膜的条件下的背腐蚀、丝网印刷和网带烧结铝背场的特性以 a)背腐蚀 (b)绒 面 图2 背腐蚀和绒面的表面形貌 及晶体硅太阳电池工艺。 1 实验 2 结论和讨论 本实验使用硼掺杂 1OO晶向、250 m厚、规格为 125mmx 背腐蚀减薄硅衬底的厚度约 10 m。从图中可以看出， 125mm的P型CZ硅衬底。所有的硅片都选 自同一块硅锭。 衬底表面的金字塔结构在背腐蚀后消失，表面比进行背腐蚀 为了单独研究铝背场，实验中没有制作 p-n结，也没有进行 以前平坦 。 其他的太阳电池工艺 (即表面钝化、形成接触以及减反射膜的 苦史伟，1982年5月生，博士 地 址：上 海市 制作 )，以减少实验带来的偏差。实验中使用了两组晶片，一 电话 ：O21 组只用低浓度的NaOH刻蚀，另一组则在第一组的基础上用 E mail：shiwei@sjtueduCn 维普资讯 离用背刻蚀代替，其他的工艺没有改变，工艺没有进行优化。工