考试题——调幅发射机的设计.doc

考试题——调幅发射机的设计 题目要求 设计一个调幅发射机，调制一频率为1k的正弦波。载波中心频率100kHz，输出幅度（V-V）大于1V.。 参考书：一般的高频电路、电子线路教材即可，www的资料 一个例子：（仅供参考，电路最好自己设计） 调幅电路： 其中乘法器实现： 功放实现： 原理 几个名词解释 调制：载波的某参数随调制信号变化而变化。 模拟调制：载波信号参数随模拟调制信号作用而变化。按调制信号与已调信号频谱间关系，分线性调制和非线性调制。 载波： S(t)=Acos((ct+(0) 调制信号： m(t) 已调信号： Sm(t)=A(t)cos[(ct+((t)+(0] 调幅属于一种模拟线性调制。 调幅原理简介 1）常规双边带调幅（AM） (1) 表达式 调制信号m(t)，平均值，m(t)加直流A后对载波调制。 SAM(t)=[A+ m(t)]cos(ct =Acos(ct+m(t)cos(ct 波形不失真条件：或A+m(t) (0 (2) 频谱 (3) 调幅指数 设调制信号为单频余弦信号m(t)= Am cosΩt，则调幅信号为 SAM(t)=[A+ Am cosΩt ]cos(ct =A[1+βAMcosΩt]cos(ct βAM= Am/ A——调制指数，百分比表示为调制度。 m(t)为一般信号时， βAM1正常调制，一般在30-60%之间； βAM=1 满调制 βAM1 过调制 带宽 为基带信号最高频率fH的二倍。BAM=2fH 功率与效率 平均功率： 设，此外cos2ωCt=1/2(1+cos2ωCt)， 效率： 如单频余弦调制信号m(t)= Am cosΩt，，则 当βAM=1时，ηAM=1/3。常规调制效率很低，因载波不含信息。 2）抑制载波双边带调幅（DSB-SC） (1) 表达式 SDSB(t)=m(t)cos(ct (2) 频谱 (3) 带宽 为基带信号最高频率fH的二倍。BAM=2fH (4) 功率与效率 平均功率： 效率：ηDSB=1 调幅电路设计方法 二极管双平衡环形调幅器 用双平衡环形调幅器可实现DSB，其结构如下图所示。电路由相乘器和带通器组成。相乘器中四个二极管特性相同，起开关作用。当载波为正半周时D1、D3导通，D2、D4截止，相乘器输出信号极性与K(t)相同，相当K(t) 乘+1；当载波为负半周时D2、D4导通，D1、D3截止，相乘器输出信号极性与K(t)相反，相当K(t)乘-1。 可以考虑用这种调制电路，后加放大电路以达到题目中的要求（放大电路的设计清参考任何一本电路书即可） 模拟乘法器调制电路 调幅电路是把调制信号和载波信号同时加在一个非线性元件上（例如晶体二极管或三极管）经非线性变换成新的频率分量，再利用谐振回路选出所需的频率成分。调幅电路分为二极管调幅电路和晶体管基极调幅、发射极调幅及集电极调幅电路等。通常，多采用三极管调幅电路，被调放大器如果使用小功率小信号调谐放大器，称为低电平调幅；反之，如果使用大功率大信号调谐放大器，称为高电平调幅。在实际中，多采用高电平调幅，对它的要求是：（1）要求调制特性（调制电压与输出幅度的关系特性）的线性良好；（2）集电极效率高；（3）要求低放级电路简单。基极调幅电路图1是晶体管基极调幅电路，载波信号经过高频变压器T1加到BG的基极上，低频调制信号通过一个电感线圈L与高频载波串联，C2为高频旁路电容器，C1为低频旁路电容器，R1与R2为偏置的分压器，由于晶体管的ic=f(ube)关系曲线的非线性作用，集电极电流ic含有各种谐波分量，通过集电极调谐回路把其中调幅波选取出来，基极调幅电路的优点是要求低频调制信号功率小，因而低频放大器比较简单。其缺点是工作于欠压状态，集电极效率较低，不能充分利用直流电源的能量。2、发射极调幅电路图2是发射极调幅电路，其原理与基极调幅类似，因为加到基极和发射极之间的电压为1伏左右，而集电极电源电压有十几伏至几十伏，调制电压对集电极电路的影响可忽略不计，因此