热氧化制备SiO2薄膜 实验报告.doc

东南大学材料科学与工程 实验报告 学生姓名 班级学号 实验日期 2014.9.9 批改教师 课程名称 专业方向大型实验——电材 批改日期 实验名称 热氧化法制备SiO2薄膜 报告成绩 小组成员 实验目的 掌握热氧化法制备Si02薄膜的基本方法； 了解热氧化法制备Si02薄膜的基本原理； 实验原理 下图为热氧化工艺的示意图： 其基本原理是氧化气体源从一端炉口通入加热炉内，在900-1200℃的高温下，氧化剂分子向硅晶片内扩散并与硅晶片表面发生化学反应，生成SiO2薄膜。本实验中氧化剂为O2，即干氧氧化： Si（solid) + O2 ( vapor) SiO2 （solid） SiO2的生长主要有两个过程决定，一个是O2在氧化层的扩散过程，一个是O2与Si表面的化学反应过程。最慢过程决定氧化速率。 在氧化物生长初期，氧化速率主要有表面反应控制，此时氧化剂的扩散速率大于与Si的反应速率。，生长薄膜厚度与时间的关系： 随着Si02厚度增加，扩散过程相对于界面反应过程较慢，氧化过程主要有扩散过程主导： 实验设备及材料： 实验器材：OTF1200管式真空炉，机械泵，塑料烧杯，塑料镊子等； 试剂及材料：氧气，氢氟酸，去离子水，实验3.1中清洗过的硅片。 实验内容及步骤 将晶片放入丙酮，超声振荡20min后取出用酒精清洗。 按1:10的比例配制HF/H2O腐蚀液，将清洗过的晶片浸入腐蚀液内约1-2min后，立即取出，用去离子水冲洗晶片表面后，吹干表面； 设置温度参数。在OTF1200管式真空炉的控制器上设置升温时间（=10℃），热处理温度（1000℃），热处理时间（1.5h）； 将Si片放入刚玉舟，放入管式炉中心位置，安装好管式炉两侧的连接法兰，打开氧气钢瓶，保证整个实验过程中氧气以一定的流量在炉管内流动。启动管式炉，开始热氧化生长SiO2薄膜； 生长结束后，关闭管式炉加热电源，待炉温冷却到400℃一下后，取出刚玉舟，观察生长的SiO2薄膜的颜色，与附表对周，粗略估计出所生长SiO2薄膜的厚度。 实验结果 制备出的SiO2薄膜，表面较为洁净，且呈蓝色； SiO2薄膜表面颜色介于蓝色和深蓝直接，与附表对照，可粗略估计其厚度在（1000-1200）埃。 思考题 从热氧化法生长SiO2薄膜的基本原理，解释为什么热氧化方法制备的SiO2薄膜具有优异的电学性能。 答：SiO2电阻率的高低与制备方法及所含杂质数量等因素有关。在热氧化法制备过程中，硅与二氧化硅的界面会向硅内部迁移，使得Si表面的污染物一道氧化物表面而形成一个崭新的界面，使其所含杂质数量的降低。 为了制备约几个nm的超薄SiO2薄膜，可以通过改变那些参数达到？ 改变温度及氧化时间：高温下减小氧化时间，快速氧化制备，可以获取较薄的SiO2薄膜； 控制压力：利用高温水汽氧化，可以很好的控制厚度，不足之处是氧化时间较长，容易引入杂质。 东南大学材料科学与工程实验报告 共 页，第 页