物化82870.doc

名词解释 1 同质多晶现象：同一种化学成份，由于形成条件不同，晶体结构上有很大差别，这种现象叫做同质多晶。 2 烧结：在表面张力下的扩散蠕变。 3 胶体双电层：带点胶粒分散在电解质中时，由于静电吸引力，在胶粒的周围形成反号电荷的离子层，胶粒表面的电荷与周围的离子层就构成了胶体的双电层。 4 晶界：同种材料相同结构的两个晶粒之间的边界。 5 均匀成核：指晶核从均匀的单相熔体中产生的几率处处是相同的成核过程。 6 相：在系统内部物理和化学性质相同而且完全均匀的部分。 7 扩散：一种由热运动所引起的杂质原子的输运过程。 8 界面偏析：对有一个多晶材料（如陶瓷体）在界面（晶界，相界或表面）上的组成不同于平均的或体内的组成，这种现象被称为晶界偏析。 9 非化学计量化合物：原子或离子的比例不成简单的整数比即偏离化学式的化合物。 10：肖特基缺陷：原子脱离正常的格点位置，跳到晶体表面，形成空穴，这种缺陷就叫做肖特基缺陷。 11弗伦克尔缺陷：原子脱离正常的格点位置，跳到邻近的原子间隙中去，形成了间隙原子和空穴的这种缺陷就叫做弗伦克尔缺陷。 12 本征缺陷：温度在0K以上，一个纯净的和严格的化学配比的晶体，在没有外来因素的作用，仍然固有存在的缺陷。 13 非本征缺陷：非晶体所固有的，而是由各种外来因素造成的缺陷。 14 不稳定扩散，浓度不随时间变化的扩散。 15 矿化剂在反应过程中能够加速或减慢反应速度，或者能控制反应方向的物质称为矿化剂。 16 表面：是指物体对真空或本身的蒸气接触的面。 17 相界;指结构不同的两块晶体或结构相同而点阵参数不同的两块晶体接合所形成交界面。 18 界面：两个独立体系的相交处，它包括表面，相界和晶界。 19 表面改性：利用固体表面吸附特性通过各种表面处理改变固体表面结构和性质，以适应各种预期要求。 20 动电电位：在固相表面上的双电层固定层（或密实内层）与胶团内非固定部分与溶液之分界面上的电位称为动电电位。 填空题 1根据水和粘土作用以后，水在粘土胶粒周围距离增大可将其分为：（牢固结合水），（弱结合水或渗透结合水），（自由水）。 2热力学函数是（状态函数、G、H、T）的一种结合。 3根据硅氧骨干的型式，硅酸盐晶体结构有以下几种类型：（岛状），（组群状），（链状），（层状），（架状）。 4若已知铝往单硅中扩散时，Q=305432J/MOL。D0=1.55CM2/S，当温度为（156.39）时其扩散系数为1*10-10CM2/S。【D＝D０e-Q/RT】 ５范德华力是固体表面产生物理吸附的原因，他主要来源于三个不同的效应，这三个效应分别是（定向作用力），（诱导作用力），（分散作用力）。 ６按照现代观点，粘土——水系统中的水存在形式有（牢固结合水），（弱结合水），（渗透结合水），（毛细管水），（自由水）。 ７多项反应一般包括（物质传输到晶面），（相界面上形成产物层），（反映产物传输离开晶界面）三个阶段。 ８固体表面力吸引作用力主要有（范德华力）和（化学力）两类，其中（范德华力）是固体表面产生物理吸附主要原因。 ９晶体热缺陷有（肖特基缺陷）和（弗伦克尔缺陷）两类，热缺陷浓度与温度的关系式为（Cs=exp(得特S/2kT) 10在1000摄氏度的Al2O3基片上涂有银奖，若保温时间由1小时增加到3小时，银层渗透深度将由原来的1mm增加到（根号3*e1/3）【C(x,t)=fai0/根号下2*得特t】 11粘土荷电原因主要由（同晶代换），（断键）和（表面分子解离）引起的。 12定向作用主要发生在（极性分子）和（极性分子）之间，诱导作用力主要发生在（极性分子）和（非极性分子）之间，分散作用力主要发生在（非极性分子）和（非极性分子）之间。 13弯曲表面上附加压力得特P总是指向曲面的（曲率中心）当曲面为凸面时为（正值），凹面时为（负值）。 14硅酸盐结构是以（【SiO4】-4）共项连接架状，链状等结构形成。15凝聚态相图的测试方法主要有（动态法）和（淬冷法）。 16菲克第二定律的基本数学表示式为（得特c/得特t-得特平方c/得特x的平方）它适用于描述在（不稳定扩散）条件下，介质中各点作用时间函数的扩散物质聚集过程。