用于气体传感器的多孔硅的制备方法研究.pdf

·568 · 20 10 6 http :/ / www . hxtb . org 化学通报 年第 期 用于气体传感器的多孔硅的制备方法研究 张 皓 张成立 ( 12 1000 ) 渤海大学化学化工学院 辽宁锦州 、 摘 要 分别采用化学刻蚀法 电化学腐蚀法和铂助腐蚀法在室温下制备了应用于气体传感器的纳米 ， 。 ，3 5 ～ 100 nm ， 级多孔硅 并且对其表面形貌及厚度进行了表征 结果表明 种方法制备的多孔硅孔径从 不等 3 ， 。 并且 种制备方法各具优缺点 可根据实际需要来选择合适的制备方法 关键词 多孔硅制备 气体传感器 化学刻蚀法 电化学腐蚀法 铂助腐蚀法 Study on Preparation Methods of Porous Silicon used in Gas Sensor Zhang Hao ，Zhang Chengli (College of Chemistry and Chemical Engineering ，Bohai University ，Jinzhou 12 1000 ) Abstract The porous silicon (PS )for used in gas sensor was prepared . The nano-porous silicon layers were formed by means of chemical etching ，electrochemical etching and Pt-assisted etching at room temperature . The thickness and the surface topography of the PS were characterized . The results showed that the nano-porous silicon prepared by the three methods was all appropriate for gas sensor ，and these methods had their advantages and disadvantages respectively . So ，the suitable preparation method should be selected reasonably according to the practical need . Keywords Porous silicon ，Preparation ，Gas sensor ，Chemical etching ，Electrochemical etching ，Pt-assisted etching 、 ， 、 、 、 。 我国有机气体污染排放面积大 范围广 迫切需要廉价 小型化 便携式 高灵敏度的气体传感器 ，