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电子教材-硅晶片抛光加工工艺的实验研究
第4 期 机械设计与制造
2009 年4 月 Machinery Design & Manufacture 139
文章编号:1001-3997 (2009)04-0139-03
硅晶片抛光加工工艺的实验研究
1 2
胡晓珍 李伟
1 2
(浙江海洋学院,舟山 316000)(浙江工业大学,杭州 310014)
A study of double sided polishing processing technic of silicon wafer
1 2
HU Xiao-zhen ,LI Wei
1
(Zhejiang Ocean University ,Zhoushan 316000,China)
2
(Zhejiang University of Technology ,Hangzhou 310014 ,China)
【摘 要】双面抛光已成为硅晶片的主要后续加工方法,但由于需要严格的加工条件,很难获得理想
的超光滑表面。设计了硅片双面抛光加工工艺新路线,并在新研制的双面抛光机上对硅晶片进行抛光加
工,实验研究了不同加工参数对桂晶片表面粗糙度和材料去除率的影响。采用扫描探针显微镜和激光数
字波面干涉仪分别对加工后的硅晶片进行测量,实验结果表明:在优化实验条件下硅晶片可以获得表面
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