第一性原理研究氧在Ni_111_表面上的吸附能及功函数.pdfVIP

第 58 卷 第 3 期 2009 年 3 月 物 　理 　学 　报 Vol . 58 ,No . 3 ,March ,2009 ( ) 10003290200958 03 192407 ACTA PHYSICA SINICA 2009 Chin . Phys. Soc . 第一性原理研究氧在 Ni( 111) 表面上的吸附能 及功函数 许桂贵 　吴青云 　张健敏 　陈志高 　黄志高 (福建师范大学物理与光电信息科技学院 ,福州 　350007) (2008 年 7 月 29 日收到 ;2008 年 9 月 18 日收到修改稿) ( ) ( ) 　　采用基于密度泛函理论 DFT 广义梯度近似 GGA 下的第一性原理方法系统地研究了不同覆盖度下 O 在 ( ) ( ) ( ) Ni 111 表面的吸附特性. 计算结果表明 ,O 在 Ni 111 表面的稳定吸附位为三重面心立方 fcc 洞位 ,吸附能随着覆 ( ) 盖度的增加而减小 ,O 诱导Ni 111 表面功函数的变化量与覆盖度成近线性关系 ,并随着覆盖度的增加而增大. 同 ( ) 时 ,通过对电子密度和分波态密度的分析发现 :O 在 Ni 111 表面的吸附使得 Ni 表面电子向O 原子转移 ,形成表面 偶极矩 ,导致功函数增加 ;表面 Ni 原子的3d 轨道和 O 的2p 轨道通过耦合 、杂化作用形成成键态和反键态 ,而反键 态几乎不被占据 ,因而 O —Ni 键相互作用比较强 ,吸附能较大. 关键词 : 表面吸附 , 密度泛函理论 , 吸附能 , 功函数 PACC : 7115A , 7330 硅能带间隙导带或价带边缘. 多晶硅中 ,通过掺杂可 1 引 言 以很容易地提供适当能量和类型的载流子. 对金属 而言 ,功函数是材料自身的特性. 能够满足 NMOS 晶 Si 集成电路自问世以来 ,一直遵循摩尔定律迅 ( ) 体管所需功函数要求 大约 41 eV 的金属不一定适 速发展. 随着器件特征尺寸的按比例缩小 ,栅介质的 ( ) [5 ] 用于 PMOS 大约 52 eV 晶体管 ,反之亦然 . 而且 厚度正迅速逼近量子隧穿区域 ,在这个区域漏电流 最近研究表明 ,金属栅与 highk 介电材料接触的功 随着厚度的减小 ,呈现指数级的增长 ,造成 MOS 器 ( )