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集成电路制造技术第三章 扩散 西安电子科技大学 微电子学院 戴显英 2010年3月 关于掺杂 目的：改变半导体的电特性 定义:将所需的杂质，以一定的方式掺入到半导体基 片规定的区域内，并达到规定的数量和符合要 求的分布。 应用：制作①PN结②IC中的电阻③欧姆接触区 ④硅栅⑤互连线 方法：①（热扩散）②离子注入 关于扩散 定义：将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中，从而达 到将杂质扩散到硅片内的目的。 方法： 按掺杂源 ①固体源扩散：开管扩散、箱法扩散、涂源法扩散； ②液态源扩散： ③气态源扩散 按扩散系统：开管和闭管两大类。 扩散掺杂 3.1 扩散机构 3.1.1 间隙式扩散 ①定义--杂质在晶格间的间隙中运动（扩散） ②势垒—间隙位置的势能相对极小，相邻两间隙之间 是势能极大位置，必须越过一个势垒Wi(图3.1)。 ∵ f(Wi)∝exp(-Wi/kT) —玻尔兹曼统计分布 ∴单位时间越过Wi的跃迁几率（跳跃率） Pi=ν0 exp(-Wi/kT), ν0 –杂质振动频率 （室温下，Pi为1次每秒） ③间隙式杂质—半径较小的原子，如H。 3.1 扩散机构 3.1.2 替位式扩散 ①定义--杂质原子从一个晶格点替位位置运动到另一个 替位位置。 前提--邻近格点有空位（图3.2） ②势垒--与间隙式相反，势能极小在晶格位置，间隙处是势能极大位置，必须越过一个势垒Ws(图3.3)。 跃迁几率Pv = ν0 exp[-(Wv+Ws)/kT], Wv-形成空位所需的能量 ③杂质—半径与Si相近的原子，如B、P、As、Sb等。 3.2 扩散系数与扩散方程 本质上：扩散是微观粒子做无规则热运动的统计结果 方向上：高浓度向低浓度扩散 3.2.1 菲克第一定律 J=-D· D—扩散系数（cm2/s)， —浓度梯度 “-”—从高浓度向低浓度扩散 J—扩散流密度：单位时间内通过单位面积的杂质数。 3.2 扩散系数与扩散方程 3.2.2 扩散系数 D=D0 exp(-ΔE/kT) D0—表观扩散系数，既1/kT→ 0时的扩散系数 ΔE—激活能；间隙扩散： ΔE = Wi， 替位扩散： ΔE = Ws+ Wv D是描述粒子扩散快慢的物理量，是微观扩散的宏观描述。 3.2 扩散系数与扩散方程 D0、ΔE、T决定D （ D=D0 exp(-ΔE/kT)） ①D与ΔE成反比 替位扩散： ΔE = Ws+ Wv ，能量高，慢扩散； 间隙扩散： ΔE = Wi，能量低，快扩散。 ② D与T成正比 a.高温扩散： T=800-1000℃ ； 例如，室温下Si中替位杂质要等1045 年才能跃迁一步。 b.精确控温：若ΔT=± 1 ℃，则ΔD=5%--10%。 引自李乃平《微电子器件工艺》 3.2 扩散系数与扩散方程 3.2.3 菲克第二定律—扩散方程 对Si平面工艺，扩散流近似沿垂直Si表面方向（x方向）,则 质量守恒：单位时间内，在相距dx的两个平面(单位面 积）之间，杂质数的变化量等于通过两个平面的流量 差，即 故 --扩散方程 3.3 扩散杂质的浓度分布 3.3.1 恒定表面源扩散/恒定表面浓度扩散（constant-surface-concertration) 定义: 在扩散过程中，Si片表面的杂质浓度始终不变（等于杂质在Si中的溶解度）。 工艺举例：预淀积工艺 初始条件：t=0时，N(x,0)=0； 边界条件： N(0,t)=Ns ， N(∞ ,t)=0； 解扩散方程，得 3.3.1 恒定表面源扩散 简化，得 ――余误差分布 式中， ―扩散长度； Ns= NSi(杂质在Si中的固溶度)； erf(x)—误差函数（error function); erfc(x)—余误差函数(complementary error function )； 3.3.1 恒定表面源扩散 杂质总量 结深：N(x,t)=NB时