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第三章扩散工艺_712705123
第三章 扩散工艺
岳瑞峰
微纳器件与系统研究室
清华大学微电子学研究所
yuerf@mail.tsinghua.edu.cn
1
固态扩散工艺是将一定数量的某种杂质掺入到硅晶体中，以改变电学性
质，并使掺入的杂质数量、分布形式和深度等都满足要求。
在IC制造中主要采用扩散法和离子注入法进行掺杂。
高浓度深结掺杂采用热扩散法，浅结高精度掺杂用离子注入法。
常用的掺杂杂质：
P （磷）、B （硼）、
As （砷）、Sb （锑）
。
2
扩散原理（模型与公式）
费克一维扩散方程
费克第一定律－描述扩散运动的基本方程 ：
J −D ∂C( x , t ) （1）
∂x
其中，C是杂质浓度，D是扩散率（扩散系数），J是杂质净流量
费克第二定律： ∂C( x , t ) ∂ ∂C( x , t ) （2 ）
( D )
∂t ∂x ∂x
假设D与位置无关，式（2 ）可简化为：
∂C( x , t ) ∂2 C( x , t )
D
2
∂t ∂x
位置变量用沿硅圆片深度方向（z ）取代，上式可改写为：
∂C( z , t ) ∂2 C( z , t )
D
费克简单扩散方程 2
∂t ∂z
3
扩散的原子模型
根据杂质在半导体材料晶格中所处的位置，可将其分
为两类：替位型杂质；填隙型杂质
替位型杂质 P, B, As, Al, Ga, Sb, Ge
硅中的杂质
填隙型杂质 O, Au, Fe, Cu, Ni, Zn, Mg
4
杂质的扩散机制
直接交换式扩散
替位型杂质原子必须打破与周围本体原子间的键合
空位交换式扩散
空位扩散需要的激活能比直接交换式扩散小，
是替位型杂质的主要扩散机制之一。
推填隙式扩散
1、替位式杂质原子被自填隙硅原子推到填隙位置；
2、杂质
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