CaO或BaO与Sm2O3共掺杂CeO2体系电子结构和氧离子迁移的DFTU研究.pdfVIP

第 32卷第 8期 无 机 化 学 学 报 Vol_32No．8 2016年 8月 CHINESEJOURNALOFINORGANIC CHEMISTRY 1363—1369 CaO或BaO与SmzO3共掺杂 CeO2体系电子结构 和氧离子迁移的DFT+U研究 吴铜伟 ·贾桂霄 ’1I： 包金小 1,2 刘媛媛 。 安胜利 ， f内蒙古科技大学材料与冶金学院，包头 014010) f内蒙古 自治区新型功能陶瓷与器件重点实验室，包头 014010) f内蒙古科技大学化学与4~_r-学院，包头 014010) 摘要 ：使用 GGA+U方法研究了CaO或 BaO与 Sm20。共掺杂 CeO体系几何和电子结构及氧离子迁移 。计算结果表 明，Ba和 Sm均靠近氧空位时BaSmCe300 体系最稳定；Sm靠近 ，Ca远离氧空位时 CaSmCe3oO63体系最稳定。BaSmCe3oO63和CaSmCe3oO。 体系中均不存在 Ce“变价。对 CaSrnCe300 体系氧离子迁移的研究发现，当氧离子迁移到空位时，迁移能大小顺序为E(3一V) Em(1--W)E( V)Em(2一V)，这一规律源于氧离子与低价掺杂离子产生负电势之间的排斥作用 ；对 BaSmCe300 体系氧离子迁 移的研究发现 ，当空位迁移到周围氧离子时，迁移能大 ／bJJ~,序为Emv(一3)Em(V一5)E。 一1)，这一规律源于氧空位产生的正电 势与低价掺杂离子产生 的负 电势之间的吸引作用。此外，CaSmCe3oO 体系最小迁移能小于 SniCe，。O63体系，证实了CeO2-Sm20一 Ca0体系离子 电导率大于 CeO一SmO体系的实验结果 。 关键词 ：二氧化铈 ；掺杂 ；电子结构 ；氧离子迁移 ；第一性原理 中图分类号：0641．12+1 文献标识码：A 文章编号：1001—4861(2016)08—1363—07 DoI：10．1l862／CJIC．2016．172 ElectronicStructuresandOxygenIonM igrationsoftheCaO orBaO andSm203Co-dopedCeOzSystem ：A DFT+U Study WUTong—Wei JIAGui．Xiao，， BAOJin-Xiao LIUYuan-Yuan ANSheng-Li。 (SchoolofMaterialsandMetallurgy,InnerMongoliaUniversityofSciencenadTechnoloyg, Baotou,InnerMongolia014010,China) eKeyLaboratoryofNewFunctionalCeramicsandDevciesofnInerMongolia AutonomousRegion，Baotou，nInerMongolia014010,China) (3SchoolofChem~trynadChemcialEngineering,InnerMongoliaUniversityof SciencenadTechnology,Baotou,nInerMongolia014010，China) Abstract：Geometricand electronicstructuresandoxygen ion migrationsofCaO orBaO andSm203CO-doped CeO2systemswerestudiedusingaGGA+U method．ThecalculatedresultsshowedthattheBaSmCe3