改进的两温区气相输运法合成碘化铅（PbI2）多晶.pdfVIP

第 27卷第 2期 无 机 化 学 学 报 V0l|27No．2 2011年 2月 CtIINESEJ0URNAL0FIN0RGANICCHEMISTRY 298—302 改进的两温区气相输运法合成碘化铅(PbI2)多晶 赵 欣 ，1金应荣 2 贺 毅 2 (中国民用航空飞行学院研究生处，广汉 618307) (西华大学材料科学与工程 学院，成都 610039) 摘要 ：采用改进的两温区气相输运合成方法(MTVTM)合成 PbI多晶原料 ，简化了合成工艺，有效避免了合成安瓿爆炸。XRD分 析结果表明：新方法合成 的PbI2多晶原料纯度高 ，具有 2H结构 ， mZ空 间群 ，晶格常数 a=b=0．4560nm，c=0．6979nm。以此为 原料 ，用垂直布里奇曼法 (VBM)生长出电阻率达 10 Q ·CITI的PbI2单晶体 。 关键词 ：碘化铅 ；多晶合成；气相输运 ；晶体生长 中图分类号：0612．4；0613．44；077 文献标识码：A 文章编号：1001—4861(2011)02—0298—05 M odifiedTwo-ZoneVaporTransportingM ethodforPblzPolycrystalSynthesis ZHAO Xin JIN Ying—Rong HEYi fGraduateDepartment，CivilAviationHightUniversityofChina,G~ ghan，Sichuan618307，China) (2SchoolofMaterialsScienceandEngineering,XihuaUniversity,Chengdu610039，China) Abstract： High-p·urity and single--phase PbI2polycrystalswere synthesized by a modified two—-zone vapor transportingmethod (MTVTM)．Themethodiseasyinoperationandcaneffectivelypreventtheampoulefrom exploding．XRD resultsindicatethatthestructureofPbI2crystalis2H with hexagonalspacegroupofP3ml，the latticeconstantsofaandCare0．4560nm and0．6979nm．respectively．WiththePbI2polyerystalobtainedinthis work，anintegralandhighresistivity (about10”n ·em magnitude)PbI2singlecrystalwasobtainedbyVertical Bridgmanmethod(VBM)． Keywords：PbI2；polyerystalsynthesis；vapor—transporting；crystalgrowth 0 引 言 的应用与发展 目前 ，国内对 PbI，晶体的研究报道 较少 ，其生长技术 尚不成熟 ，应用受到限制。因此，开 碘化铅 (PbI2)~体是一种具有直接跃迁宽带隙的 展对 PbI，多 晶合成与单晶生长的深入研究是非常 化合物半导体 ．禁带宽度约为2．3～2．5eV，电阻率高 ， 必要 的。 原子序数大．载流子迁移率寿命积高。对高能射线具 高纯 、单相的PbI多晶原料是生长高质量PbI 有较高的阻止本领 用 Phi，制成的探测器可在室 单晶体所必须具备的先决条件 ．这在前期的研究工 温下工作 ．