聚合物球凹阵列的密度调控及其镀金后的SERS性能.pdfVIP

第26卷第4期 化 学 研 究 与 应 用 Vo1．26，No．4 2014年 4月 ChemicalResearchandApplication Apr．，2014 文章编号：1004．1656(2014)40-O541-05 聚合物球凹阵列的密度调控及其镀金后的SERS性能 孙春生，洪清华，刘雪锋 (江南大学化学与材料工程学院，江苏 无锡 214122) 摘要：以内嵌于聚合物呈非紧密接触堆积的SiO：微球阵列为模板，经 HF蚀除表层SiO：微球后再经金属物理 覆镀 ，得到81cm ／片的球凹阵列SERS基底。以苯硫酚为探针，所得阵列的 sERS效应显著(EF高达 1O。量 级)，并且重现性良好 (EF的RSD8％)；将 SiO：与聚合物的体积比(Rs_)在20％-412％范围内改变，基底表面 球凹均可保持六边形周期性排布，球凹的排布密度 (r)在4．65xlO。 cm-6．92x10。~／cm 范围内相应改 变。 关键词：球凹阵列 ；密度调控；SERS性能；重现性 中图分类号：O611．4 文献标志码：A SurfaceDensitycontrollingofpolymervoidsarrayandtheSERS performanceaftergolddeposition SUNChun—sheng，HONGQingh·ua，LIUXue-feng’ (SchoolofChemicalandMaterialEngineering，JiangnanUniversity，Wuxi214122，China) Abstract：Periodicvoidsarraysforsurface-enhancedItamanscattering(SERS)havebeenfabricated，bywhichthemuhilayersilica colloidalcrystal-polymercompositeswithanunusual non—close·packed structurewereutilizedasthestructuraltemplates．Uniform voidsarrayoverwafer-sizedarea8(81cm2)CallbereprodueiblyobtainedbyabriefHFetching-offcolloidalsilicainhteouterlayer ofthetemplatesandthensurfacemetaldeposition．TheSERSenhancementfactor(EF)ofhteresultingvoidsarrayreachesinto10 ordersofmagnitudeandtherelativestandard deviation(RSD)ofEF islessthna 8％utilizingbenzenehtiola8theRanlna probe．Surfacedensity(厂)ofvoidscanbe controlledeasilybyadjustinghtevolumeratio(Rs．P)ofsilicaandpolymer．Theunique hexagonal patterningofvoidsisunchnageableinhteRs．Prangeof20％to42％ ，accordingly，thevalueofF chnagesfrom 4．65x10。 voida／cm to6．92×lOsvoids／cm2 ． Keywords：Voidsarray；Tunablesurfacedensiyt；SERSperfomrance；Reproducibiliyt 具有单分子检测…能力的表面增强Raman散 具代表性 ¨¨J，由于具有局域 Mie模式 (球凹内) 射