碳酸锂修饰氧化铟锡阴极制备蓝色磷光反转底发光有机发光二极管.pdfVIP

第29卷 第 l2期 应 用 化 学 Vo1．29Iss．12 2012年 12月 CHINESEJ0URNALOFAPPLIED CHEMISTRY Dec．2012 超薄铝／碳酸锂修饰氧化铟锡阴极制备 蓝色磷光反转底发光有机发光二极管 史常生 陈江山 马东阁 (中国科学院长春应用化学研究所 长春 130022) 摘 要 在氧化铟锡 (ITO)阴极上依次蒸镀2Ilm铝和2hill碳酸锂 (Li：CO)薄膜作为电子注入层 ，成功制备 出器件结构为ITO／A1／Li2CO3／SPPO13／SPPOI3：FIrpic／，TcTA／Mo03／A1(SPPO13：2，7-双(二苯基磷)-9，9-螺二 [芴]；Flrpic：双(4，6．二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱；TCTA：4，4，4-三(咔唑-9一基)三苯胺)的蓝色磷光 反转底发光有机发光二极管(IBOLED)。结果表明，AL／Li：CO作为电子注入层可以有效降低 IT()与有机材料 之间的电子注入势垒，蓝色磷光IBOLED的起亮电压由11V降至4．2V，器件的发光效率也得到有效提高。 蓝光磷光 IBOLED的最大电流效率与功率效率分别达到了28．2cd／A和 19．6lm／W，制备 出的反转结构器件 性能可与传统正置结构比美 ，说明AL／LiCO可以作为反转有机发光二极管优良的电子注入层。 关键词 有机发光二极管，反转底发光，电子注入层，氧化铟锡阴极 中图分类号：0649；TN837．3 文献标识码：A 文章编号 ：1000-0518(2012)12—1412-05 D0I：10．3724／SP．J．1095．2012．20445 有机发光二极管(OLED)由于其在全彩显示中具有很好的应用前景而受到广泛关注 1-3]。OLED显 示按照驱动方式不同可以分为无源驱动OLED与有源驱动OLED，其中有源驱动OLED被认为在未来平 板显示中具有巨大潜力。在有源驱动OLED中，低温多晶硅和无定形非晶硅薄膜晶体管 (ThinFilm Transistor，T )是2种主要的基板材料。其中，无定形非晶硅 由于集成性 、产量和成本等方面的优势，相 比低温多晶硅更适合应用在大规模显示中。但由于无定形非晶硅TFTr是n型晶体管，导致传统结构的 OLED很难与无定形非晶硅T丌 良好集成。相对于传统结构的OLED来说，反转底发光有机发光二极管 (InvertedBottom—emissionOrganicLight．emittingDiodes，IBOLED)由于其器件底部为阴极，可以直接和 n型TFT的漏极相连，使得 OLED和 n型TFTr可以更好的集成在一起，从而可提高显示器件的稳定 性 。 不同于常规OLED中空穴与电子分别由透明底阳极与反射顶阴极注入的方式，在 IBOLED器件中， 空穴和电子是分别由反射顶阳极和透明底阴极注入的。当选择最常用的透明电极材料 ITO作为 IBOLED的阴极时，ITO本身较高的功函数(约4．7eV)使器件阴极与相邻有机功能层的最低未被占据 的分子轨道(LowestUnoccupiedMolecularOrbital，LUMO；通常小于3．5eV)之间存在着较大的电子注入 势垒，这将导致器件中的电子注入非常困难。所以，选择适当的电子注入层 (Electron—injectionLayer， EIL)来降低 ITO阴极与有机层之间的电子注入势垒，使电子可以高效地注入到器件中是成功制备反转 底发光器件的关键。为了制备出更高效的有机发光器件，人们已尝试的电子注入材料有 CsCO。 、 PF．EP[7引和ZnO9『等。本文采用蒸镀薄层Al与LiCO，作为电子注入层来降低ITO阴极与相邻有机传 输层之间的电子注入势垒，来改善反转器件电子注入，制备出了高效率的蓝色磷光IBOLED。 2012．10-04收稿，2012—10-15修回 国家 自然科学基金资助项 目 通讯联系人：陈江Lj【，副研究员；Tel：4031Fax：0431E—mail：jschen@ciac．j1．en；研究方向：有机发光器件与物 理 共同