蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯.pdfVIP

物理化学学~E(WuliHuaxueXuebao1 M arch ActaPhys．一Chim．Sin．2016，32(3)，787—792 787 [Article] doi：l0．3866／PKU．WHXB201512183 www．whxb．pku．edu．cn 蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯 刘庆彬 蔚 翠 何泽召 王晶晶 李 佳 芦伟立 冯志红 f河北半导体研究所，专用集成电路国家级重点实验室，石家庄050051) 摘要 ：化学气相沉积(CVD)法是制备大面积、高质量石墨烯材料的主要方法之一，但存在衬底转移和碳固溶 等问题，本文选用蓝宝石衬底弥补了传统CVD法的不足。利用CVD法在蓝宝石衬底上生长石墨烯材料，研 究生长温度对石墨烯表面形貌和晶体质量的影响。原子力显微镜(AFM)、光学显微镜(OM)、拉曼光谱和霍尔 测试表明，低温生长有利于保持材料表面的平整度，高温生长有利于提高材料的晶体质量。研究氢气和碳源 对蓝宝石衬底表面刻蚀作用机理，发现氢气对蓝宝石衬底有刻蚀作用，而单纯的碳源不能对衬底产生刻蚀效 果。在1200。C下，直径为50mm的晶圆级衬底上获得平整度和质量相对较好的石墨烯材料，室温下载流子 迁移超过1000cm ·V ·S～。 关键词：石墨烯；蓝宝石；化学气相沉积法；生长温度；刻蚀机理 中图分类号：0646 EpitaxialGrapheneonSapphireSubstratebyChemicalVaporDeposition LIUQing--Bin YUCui HEZe--Zhao WANGJing·J·ing LIJia LUWei—Li FENGZhi—Hong (NationalKeyLaboratoryofApplicationSpecfiicIntegratedCircuit，HebeiSemiconductorResearchInstitute， Shoiazhuang050051． R．China) Abstract： EpitaxiaIgraphenebychemicalvapordeposition(CVD)iSoneofthemainmethodstofabricate high．qualitywafer-scalegraphenematerials．However,CVD-growngrapheneonmetalsubstrateshassome disadvantages．suchastheneedforatransferprocessandcarbonatomsdissolvedintothemetalsubstrate． 1nthiswork，weevaluatesapphiresubstratestoovercomethosedisadvantages．Themorphologyandcrystal qualityofthesamplesgrownatdifferenttemperatureswerecharacterizedbyatomicforcemicroscopy(AFM)， opticalmicroscopy(OM)，Ramanspectroscopy,andaHallmeasurementsystem．Toeasetheetchingprocess ofacrbonatomstothesubstrate．weadoptaveryIOW carbonocncentrationof0．01％．AFM andRamanresults showthatthesurfacemorphologiesofsamplesgrownatIowertemperat