纳米光子学器件课件.pptxVIP

其中 Eg是体材料的带隙，r 是颗粒直径，第三项是库仑相互作用，第四项是电子-空穴相互作用项。可见，半导体材料的带隙可以通过控制颗粒尺寸可以在一定范围内实现连续可调。利用这一原理，同种材料通过改变尺寸即可获得连续可调的发光颜色;量子尺寸效应是指当金属或者半导体材料的物理尺寸接近或者小于相应块体材料的玻尔半径或者德布罗意波长时，材料的能带结构由于强烈的空间限域而发生显著变化的现象，因此又称为量子限域效应 量子尺寸效应通常要求尺寸小于其相应块体材料的室温激子半径（大多数半导体小于 10 nm）时才具有显著效果;半导体带隙调控的最早获得成功的例子是液相法合成各种纳米颗粒（量子点）。主要分为量子尺寸效应带隙调控和合金组分带隙调控两类，前者通过控制量子点的尺寸实现半导体带隙在一定范围内的调控，后者在固定量子点尺寸前提下，通过控制合金纳米颗粒中各个元素的相对比例获得带隙调控能力;p 型 Si 分别和 n 型 CdS，CdSSe，CdSe，InP 交叉形成的 LED 的电致发光光谱及其发光照片，右上插图是其 p-Si/n-CdS 纳米线 LED 的 SEM 和 I-V 特征曲线；(b)集成的三色LED 的 SEM 和示意图；(c)电致发光光谱和照片;半导体纳米线比传统平面外延薄膜和块体材料更容易实现不同导电类型的掺杂，因此是发展各类二极管，尤其是小体积、低能耗发光二极管（LED）的理想选择 将不同的导电类型的纳米线相互交叉形成 p-n 结，在交叉点处实现电致发光，如图 1.10 (a)所示[70]。 通过选择具有不同带隙的纳米线，可以获得不同颜色的发光。更进一步，当把不 同的纳米线平行排列时，可以将不同发光颜色二极管集成在一起，如图 1.10 (b)所示;由于半导体的带隙原则上直接由其材料组分决定，而天然元素半导体（Si，Ge）或者二元化合物半导体（II-VI，III-V 族）受电中性的限制，组分是固定不变的，带隙因此通常是一固定值。虽然原则上这一固定值可以随温度、尺寸等因素有所变化，但变化范围十分有限。可见所有天然半导体的带隙构成的是一个离散集，实际可供利用的禁带值非常有限。这一点严重制约了半导体器件在多样化、多功能、宽谱响应和可调谐光电器件领域的发展。半导体带隙如此有限，为此人们发展尝试了多种不同带隙调控方法以求丰富半导体带隙;带隙调控是指通过传统平面外延生长，尺寸效应、温度效应和合金化等手段有目地改变半导体材料固有带隙的各种技术的总称。 在目前发展起来的各种带隙调控方法中，传统平面外延是将晶格结构相近的材料一层层通过外延组合到一起，多用于外延薄膜的生长，要求材料本身的晶格较为匹配，因此适用范围有限 温度效应虽然也可以使半导体带隙在一定范围内变化，但其变动幅度比尺寸效应更小，且大多数器件使用时均要求恒定在室温工作，因此通过温度实现的带隙调控的可操作性，实用性非常有限;不同组分 ZnxCd1-xSe 纳米晶在紫外光照射下的发光照片;量子尺寸效应带隙调控和合金组分带隙调控;单基片上不同位置处的 CdSxSe1-x纳米带的 XRD (a)和 PL 光谱(b);量子点的能级是分立的, 电子在这些能级之间跃迁将会发出特定波长的光. 而分立的能级间距又由量子点的大小决定, 因此不同尺寸的量子点将会发出不同颜色的荧光. 同样是 CdSe 的量子点, 其发出的荧光颜色随其大小的变化如下图;单量子点带隙调控;最早可视为在单个纳米结构中实现了带隙调控的纳米体系主要是零维纳米结构中的核壳（图 1.18 (b)左）和梯度量子点前者将一种半导体包覆或者外延生长在另一种半导体量子点上，在量子点的径向实现了突变的带隙结构。后者则是沿径向组分依次变化，获得了连续递变的带隙结构;相比于零维量子点，一维半导体纳米结构不仅可以作为光电器件的功能单元，而且可以直接用于光电器件功能单元之间的连接媒介，因此在光电领域，特别是集成光子学系统中有着更加广泛的应用;InxGa1-xN 纳米线;由于半导体激光器的波长原则上由其带隙决定，因此可调谐半导体激光器的实现要求材料的带隙连续可调。然而传统平面外延生长技术受晶格匹配限制，原则上很难实现波长大范围可调的激光发射。相反，单基片组分梯度型纳米结构则可轻易获得连续可调的带隙，因此是实现可调谐激光器的最佳途径;单基片上生长的全组分梯度 ZnxCd1-xSySe1-y合金纳米线的带隙几乎覆盖整个可见光光谱区，原则是实现全光谱太阳能电池的理想材料 为使吸收效率最大化，Ning 等人设计了一种叫做“横向多结太阳能电池（lateral multiple junction solarcell）”的新型太阳能电池原理，这种太阳能电池的每一个电极之间都能以相应的最优化带隙吸收太阳辐射的特定波长，因此有望极大的提高太阳能电池的光电转换效率 ???用薄膜光栅等