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2.1　晶体三极管 2.1　晶体三极管 2.1.1　三极管的结构、分类和符号 2.1.6　三极管的简单测试 2.2　场效晶体管 工程应用——场效晶体管使用常识 2.2　场效晶体管 2.2.1　结型场效晶体管 2.2.2　绝缘栅场效晶体管 2.2.3　场效晶体管的主要参数和特点 工程应用 场效晶体管：是利用输入电压产生的电场效应控制输出电流的电压控制型器件。 　　特点：管子内部只有一种载流子参与导电，称为单极型晶体三极管。 2.2.1　结型场效晶体管 N 沟道结型场效晶体管 P 沟道结型场效晶体管 一、结构和符号 　　N 沟道结型场效晶体管的结构、符号如图所示；P 沟道结型场效晶体管如图所示。 　　特点：由两个 PN 结和一个导电沟道所组成。三个电极分别为源极 S、漏极 D 和栅极 G。漏极和源极具有互换性。 工作条件：两个 PN 结加反向电压。 二、工作原理 以 N 沟道结型场效晶体管为例，原理电路如图所示。 动画　结型场效晶体管结构 工作原理如下： 　　VDS 0； VGS 0 。在漏源电压 VDS 不变条件下，改变栅源电压 VGS ，通过 PN 结的变化，控制沟道宽窄，即沟道电阻的大小，从而控制漏极电流 ID。 结论： 1．结型场效晶体管是一个电压控制电流的电压控制型器件。 2．所以输入电阻很大。一般可达 107 ~ 108 ?。 三、结型场效晶体管的特性曲线和跨导 1．转移特性曲线 结型场效晶体管的转移特性曲线 　　反映栅源电压 VGS 对漏极电流 ID 的控制作用。如图所示，若漏源电压一定： 　　当栅源电压 VGS = 0 时，漏极电流 ID = IDSS ，IDSS 称为饱和漏极电流； 　　当栅源电压 VGS 向负值方向变化时，漏极电流 ID 逐渐减小； 　　当栅源电压 VGS = VP 时，漏极电流 ID = 0，VP 称为夹断电压。 2．输出特性曲线 结型场效晶体管的输出特性曲线 　　表示在栅源电压一定条件下，漏极电流与漏源电压之间的关系。如图所示。 (1)可调电阻区(图中Ⅰ区) VGS 不变时，ID 随 VDS 作线性变化，漏源间呈现电阻性。 　　栅源电压 VGS 越负，输出特性越陡，漏源间的电阻越大。 　　结论：在Ⅰ区中，场效晶体管可看作一个受栅源电压控制的可变电阻。　 (2)饱和区(图中Ⅱ区) 结型场效晶体管的输出特性曲线 　 　　VDS 一定时，VGS 的少量变化引起 ID 较大变化，即 ID 受 VGS 控制。 　　当 VGS 不变时，ID 不随 VDS 变化，基本上维持恒定，即 ID 对 VDS 呈饱和状态。 　　结论：在Ⅱ区中，场效晶体管具有线性放大作用。 结型场效晶体管的输出特性曲线 (3)击穿区(图中 Ⅲ 区) 　　当 VDS 增至一定数值后，ID 剧增，出现电击穿。如果对此不加限制，将损坏管子。因此，管子不允许工作在这个区域。 3．跨导(gm) 　　反映在线性放大区 ?VGS 对 ID 的控制能力。单位为 μA/V。 2.2.2　绝缘栅场效晶体管 　　绝缘栅场效晶体管是一种栅极与源极、漏极之间有绝缘层的场效晶体管，简称 MOS 管。 特点：输入电阻高，噪声小。 　　分类：有 P 沟道和 N 沟道两种类型；每种类型又分为增强型和耗尽型两种。 一、结构和工作原理 N 沟道增强型绝缘栅场效晶体管 1.??N 沟道增强型绝缘栅场效晶体管 工作原理如图所示： 　　(1)当 VGS = 0 ，在漏、源极间加一正向电压 VDS 时，漏源极之间的电流 ID = 0 。 　　(2)当 VGS 0 ，在绝缘层和衬底之间感应出一个反型层，使漏极和源极之间产生导电沟道。在漏、源极间加一正向电压 VDS 时，将产生电流 ID 。 　　开启电压 VT ：增强型 MOS 管开始形成反型层的栅源电压。 N 沟道增强型绝缘栅场效晶体管工作原理 N 沟道增强型绝缘栅场效晶体管工作原理 (3)在 VDS 0 时： 　　若 VGS VT ，反型层消失，无导电沟道，ID = 0 ； 　　若 VGS VT ，出现反型层(即导电沟道) ，D、S 之间有电流 ID 流过； 　　若 VGS 逐渐增大，导电沟道变宽，ID 也随之逐渐增大，即 VGS 控制 ID 的变化。 2．N 沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管 夹断电压：使 ID = 0 时的栅源电压。 　　结构及符号如图所示。 特点：管子本身已形成导电沟道。 N 沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管 N 沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管 工作原理：在 VDS 0 时， 　　当 VGS = 0 导电沟道有电流 ID；　 　　当 VGS 0 并逐渐增大时，沟道变宽，使 ID 增大； 　　当 VGS 0