模拟电子技术基础第一章.ppt

作业: 1.9(1.6), 1.11() e区的多子扩散而导电 1.5.5 三极管的主要参数 一、直流参数 1.共射直流电流放大系数 ? = IC IB 2.共基直流电流放大系数 ? = IC IE (1)发射极开路时集电结的反向饱和电流—ICBO。 3.极间反向电流 一般小功率硅管ICBO为nA级，而锗管为几?A~几十?A。 (2)基极开路时集电结与发射结间的穿透电流—ICEO。 ICEO=（1+ ? ）ICBO ICBO、ICEO受稳度的影响很大，实际工作中其值愈小，性能愈稳定。 忽略ICBO 二、交流参数 2.共基交流电流放大系数 ? = ? iC ? iB UCE=常数 1.共射交流电流放大系数 ? = ? iC ? iE UCB=常数 一般可以认为： iC等距平行于uCE轴 即可以表示 在加上　　　，可以认为： ? = ? iC ? iB 五、温度对晶体管特性的影响 温度增加，会导致 ICBO 、 IB 增大。 温度对晶体管输入特性的影响 图1.3.9 温度对晶体管输出特性的影响 三极管特性容易受温度影响 温度增加，会导致IC增大。 温度增加，会导致β, 增大。 总结 1.4、双极型晶体管 放大 条件 结构上E重掺杂、B薄且掺杂低、C面积大； 外电源使Je正偏、Jc反偏。 电流 关系 iC βiB iE = iC + iB uBE/V iB/?A 0 UCE 1V 三极管(NPN)的特性曲线 Je和Jc均正偏， uCE很小， ce间近似短路。 Je正偏、Jc反偏， iC = βiB，T相当CCCS 。 Je和Jc均反偏， ic很小，ce间近似开路。 二极管的特性曲线 600 400 200 – 0.1 – 0.2 0 0.4 0.8 –50 –100 iD / mA uD / V 二极管的直流模型 iD uD 0 UＤ UＤ iD + uD – iD + uD – D 作业: 1.15(1.9), 1.16(1.10), 1.19(1.12) 2、晶体管的等效模型 （1）晶体管直流模型 iB uBE 0 UＤ iC / mA uCE /V 0 IB4 IB3 IB2 IB1 IB4 IB3 IB2 IB1 前提: Q点在放大区 IBQ UD b e UBEQ e c ICQ IBQ UCEQ （1）晶体管直流模型 RC Rb 20V VCC VBB + - uCE (uO) ui + - 直流电压和交流信号同时作用下 三极管在小信号(微变量)情况下工作时，可以在静态工作点附近的小范围内用直线段近似地代替三极管的特性曲线，三极管就可以用线性二端口网络来等效代替。 (2) 三极管的交流(微变)等效电路 ic uce ube ib ube=h11ib+h12uce ic=h21ib+h22uce 线性电路 ube uce ib ic 在小信号下 H参数等效模型 ube=h11ib+h12uce ic=h21ib+h22uce h11=ube/ib|uce=0 =rbe h21=ic/ib|uce=0=? h12=ube/uce|ib=0?0 h22=ic/uce|ib=0=1/rce ?0 ? = ? iC ? iB UCE=常数 Q Q rbe称三极管的输入电阻 rbb?称为基区的体电阻，对于小功率管，一般为100~500?。 三极管的微变等效电路 ube=rbeib+h12uce ic=?ib+ uce ic uce ube ib b c e ube rbe e ?ib ib ic uce b c 三极管简化的微变等效电路 ube rbe e ?ib ib ic rce rce uce uce b c h12uce + ? 三极管的微变等效电路只能用来分析放大电路变化量之间的关系 rce 1 线性化 如ce端所接 很大,不能忽略 IBQ UD b e UBEQ e c ICQ IBQ UCEQ （1）晶体管直流模型 (2) 三极管的交流(微变)等效电路 ube rbe e ?ib ib ic uce b c e c b T e c b T c b e T 放大区 交流模型只能求解交流量 直流模型只能求解直流量 H参数在静态工作点附近定义的，只适合于交流小信号 （大小和方向）从属于 NPN和PNP具有相同的H参数交流模型 ube rbe