VDMOS器件仿真设计实验_第一次实验报告.docVIP

半导体功率器件与智能功率IC实验 学生姓名：田瑞 学 号：201422030143 指导教师：乔明 一、实验室名称： 211楼803 工作站 二、实验项目名称：半导体功率器件与智能功率IC实验——VDMOS器件仿真设计实验 三、实验原理： 对于阈值电压的调节，可以改变氧化层厚度，氧化层厚度越大，栅对沟道的控制能力越弱，阈值电压越大。也可以增大沟道区掺杂浓度，浓度越大，沟道区越难反型，阈值电压越大。 MEDICI的使用流程: 四、实验目的： 通过实验，了解VDMOS器件的结构，掌握VDMOS器件的设计方法，熟悉MEDICI软件的使用。 五、实验内容： 完成一种600V VDMOS器件完整的设计仿真工作，其指标达到预定要求。其中，主要针对器件耐压、阈值电压、跨导、开态特性进行仿真优化，确定栅氧厚度、沟道浓度、栅长、漂移区掺杂、漂移区厚度等重要的浓度和结构参数。 衬底n+p+，再仿真器件的转移特性和击穿特性，比较与VDMOS区别，并分析原因。 VDMOS指标要求： BV 600V VT 2~3V VG 20V max 六、实验器材（设备、元器件）： MEDICI软件 七、实验步骤： title VDMOS assign name=nd n.val=1e14 assign name=pwell n.val=2e18 assign name=dpwell n.val=1.2 assign name=tepi n.val=35 assign name=ld n.val=6 mesh smooth=1 x.mesh width=@ld h1=0.10 y.mesh n=1 L=-0.1 y.mesh n=3 L=-0.017 y.mesh n=4 L=0 y.mesh depth=@dpwell h1=0.05 y.mesh depth=@tepi-@dpwell h1=0.05 h2=0.05 h3=1 y.mesh depth=0.5 h1=0.05 y.mesh depth=0.1 h1=0.05 region name=si silicon region name=sio y.max=0 oxide electrod name=gate x.min=1 x.max=@ld-1 electrod name=source x.max=0.6 y.max=0 electrod name=source x.min=@ld-0.6 y.max=0 electrod name=drain y.min=@tepi+0.5 $$$$$ n drift $$$$$$$ profile region=si n-type n.peak=@nd uniform $$$$$ p-well $$$$ profile region=si p-type n.peak=@pwell+@nd xy.ratio=0.4 x.min=0 x.max=1.5 y.junction=@dpwell profile region=si p-type n.peak=@pwell+@nd xy.ratio=0.4 x.min=@ld-1.5 x.max=@ld y.junction=@dpwell $$$$ n+/p+ source $$$$ profile region=si p-type n.peak=1e20 xy.ratio=0.4 x.min=0 x.max=0.4 y.junction=0.4 profile region=si n-type n.peak=1e20 xy.ratio=0.4 x.min=0.5 x.max=1 y.junction=0.2 profile region=si p-type n.peak=1e20 xy.ratio=0.4 x.min=@ld-0.4 x.max=@ld y.junction=0.4 profile region=si n-type n.peak=1e20 xy.ratio=0.4 x.min=@ld-1 x.max=@ld-0.5 y.junction=0.2 $$$ drain $$$ profile region=si n-type n.peak=1e20 uniform x.min=0 y.min=@tepi y.max=@tepi+0.5 regrid ignore=sio doping logarith ratio=1 smooth=1 cos.angle=0.8 $$$$ gate material $$$$$ c