X射线荧光技术.pptVIP

第三节 X射线荧光分析技术(XRF); 利用外界辐射激发待分析样品中的原子， 使原子发出特征X射线（荧光），通过测定这 些特征X射线的能量和强度，可以确定样品中 微量元素的种类和含量，这就是X射线荧光分 析，也叫做源激发X荧光分析。;第三节 X射线荧光分析;1.1 X射线荧光方法的物理基础;1.1 X射线荧光方法的物理基础;2、本质和特点;;E=h ? , ? =c / ? ;波动性; 光电吸收，非相干散射， 气体电离和产生闪光等现象， 以一定的能量和动量为特征； ; 同一切微观粒子一样，X射线也具有波动和微粒的双重性;显然，无论是测量能量还是波长，都可以实现对相应元素的分析，其效果是一样的。; 其一，高能粒子与原子发生碰撞并从中驱逐一个 内层电子，出现一个电子空位,此时原子处于受激态 。 其二，经过10-12～10-14s，外层电子向内跃迁，填 补内层电子空位，同时放出X射线。 第一个过程是吸收入射粒子能量，因而入射离子 的能量必须略高于内层电子的结合能； 第二个过程是放出能量，其特征X射线能量等于两 个能级的能量差。;跃迁选择定则: △n≠0 △l =±1 △j = 0,±1;原子能级及K、L系X荧光谱线产生示意图; K系谱线包括Ka1、Ka2、Kβ1、Kβ2、Kβ3等。并且它们之间的X射线照射量率相差很大。 大致比例为： I(Ka1):I(Ka2):I(Kβ1):I(Kβ2)=100:50:25:5 各谱系之间X射线强度也相差很大，近似为： K:L:M=100:10:1 这表明，每一元素的X射线谱的结构很复杂，其中，Ka线相对强度是最大的．;两个概念： a、能驱逐一个内层电子所需的入射粒子的最低能量称之为吸收限。 b、激发效率（ξ），表征入射粒子的激发特性 定义：一个入射粒子与单位面积上一个靶原子作用时，在某壳层上产生X荧光的几率。 ; 1913年，莫塞莱（H.G.J.Moseley)发现，每个谱 系的X射线能量的平方根与原子序数Z之间存在着以 下简单的线性关系： （1） 式中，a和b均为常数。这就是莫塞莱定律。 (2) 式中，R为里德伯常数；h为普朗克常数；c为光速。 ;三、俄歇效应与荧光产额 ; 发射特征X射线的几率称为荧光产额，用ω表示。 荧光产额可分为K层，L层，M层，…等不同的荧光 产额。K层荧光产额(ωk)定义为单位时间内K层发射 特征X射线光子，除以K层在同一时间形成的电子空 位数。; 荧光产额的计算比较复杂，这里介绍一个半经验公式:;; 用X荧光方法适于分析 中等以上的原子序数元素。 各线系相比，应尽量利 用K系谱线，这对X荧光 的产生和测量均有利。 对于轻元素，荧光产额 低，给测量带来很大困 难，这也是一般条件下分 析低原子序数元素时，精 度不高的根本原因。 ;1.2 X射线荧光方法和技术;1.2 X射线荧光方法和技术;1、放射性同位素源;选择同位素激发源时必须考虑以下几点: (1)激发源放出的γ射线或X射线的能量，必须大于待测元素的K层或L层的吸收限。 能激发K层最好，不得已才利用L层的吸收限。 (2)具有足够长的半衰期。 不仅消除了半衰期校正带来的误差，而且使用时间长，节省费用。 (3)适当的几何形状和源的活度。 以尽可能提高待测元素特征X射线的照射量率和信 噪比。;1）γ射线源 γ射线源是利用核衰变时产生的γ射线。使用广 泛且特性典型的射线源是241Am源。 241Am是α辐射体，在α衰变时发射γ射线，主要 能量是59.56keV和26.4keV两种，衰变产物237Np处于 激发态，以内转换的形式发射NpL系特征X射线。 因此,241Am源又是X射线源。 主要优点：价格便宜，半衰期长(433年)。;28; 57Co也是常用的一种γ射线源。利用其121.9keV和 136.3keV的射线，可有效地激