SiC热氧化SiO2的光谱学表征研究.pdf

SiC 热氧化SiO2 的光谱学表征研究1 田晓丽，石瑞英，袁菁，马瑶，陈昶，龚敏 四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室，成都 （610064 ） E-mail：mgong@ 摘 要：C 元素的存在及其诱生的空位型缺陷影响SiC 热氧化SiO 层的质量及SiC MOS 器 2 件的击穿特性。本文利用红外光谱研究了 6H-SiC 上热氧化生长的 SiO2 层，分析和讨论了 SiO2 氧化层及界面态的红外反射特征峰，特别是对位于751cm-1 附近的红外反射峰及其退火 特性进行了研究，认为它与界面态有关。 关键词：空位型缺陷，6H-SiC ，红外反射光谱，退火，界面态 中图分类号：O657.33 1．引言 第三代半导体材料碳化硅（SiC ）具有禁带宽度大、临界击穿电场和热导率高、饱和漂 移速度大，热稳定性和化学稳定性好，介电常数低等优点，同时能够直接热氧化生长氧化层， 其器件工艺与Si平面工艺兼容，尤其成为制造高温、大功率、抗辐照器件和电路的理想材料， 在通信、航天航空、石油勘探等方面具有广泛的应用前景。 近年来，SiC 功率器件相继问世，出现了包括LED 发光器件、pn 结及肖特基整流器件、 双极晶体管及晶闸管、MOSFET 等。对SiC MOSFET 也进行了大量研究，2004 年，W. Wang 等人报道的4H-SiC MOSFET 的(lateral two-zone)结构应用NO 退火，提高了表面特性，反型 层的迁移率达到了25cm2/vs ，比干氧退火工艺的迁移率提高了4 倍，而且击穿电压为930V ； 2005 年，Fujihira 等人研究了在 N2O 中 1150℃退火 3 小时， NMOS 的有效迁移率达到 30cm2/vs ；同样条件下的外延n 沟MOSFET 的正向阈值电压为0.46V，电场强度为2.5MV/cm 时的有效迁移率为34cm2/vs 。但是，这些测试研究基本都是在常温下进行的，对SiC MOSFET 长期高温高压特性的研究报道很少。碳化硅MOS 场效应晶体管（MOSFET ）的整体性能远 不如人们所期望，主要受限于氧化层的质量和SiO [1] 2/SiC 的界面 。SiC 氧化时，O2 穿透SiO2 层扩散到SiO /SiC 的界面，与SiC 反应生成SiO ，C 则以CO 或CO 的形式释放，经已生 2 2 2 长的氧化层扩散出来。由于C 的存在和外扩散，引入大量的空位(vacancy)和空洞(void)型缺 陷，致使 SiO2 层“疏松”，出现悬挂键；高温下工作时，它们断裂、重构导致固定电荷重新 分布，电荷态发生变化，从而影响界面质量以及造成 SiO2 层的高温稳定性差。目前，国内 外关于SiO /SiC 的研究多集中在界面态和MOS 沟道迁移率上，工艺上采用掺氮（N O ）和 2 2 掺氯（TCE,和Cl2 ）氧化和NO 气氛后退火等技术[2]、[3]，大大改善了界面态和迁移率，但是 N O 气氛退火过程中引进的N 主要集中在SiO /SiC 界面两侧，对SiO 层中的C 分布没有变 2 2 2 化；并采用X 射线光电子能谱（XPS ）和二次离子质谱（SIMS）等实验研究了氧化层中的 杂质分布及变化[4]，同时配合C-V 特性研究了等效界面电荷态，但是现在有关氧化层的结构 致密性和空洞型缺陷及其长期在高温或高电压下的变化进行研究的报道很少，其最重要的原 因是直接有效的检测方法的缺乏[5] 。 光谱学作为一种非破坏性的研究方法，可通过一定的装置和