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2017-06-02 发布于湖北
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镁含量和热处理对薄膜结构

第卷第期年月物理学报 35 (% #%%’ (% ，，， NGB 635 [G 6 (% /F\G]MV #%%’ （） (%%%)$#%#%%’35 (% 44(2)%4 TRWT PSXYZRT YZ[ZRT !#%%’ RI+ 6 PIJK 6 YGF 6 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 镁含量和热处理对!# $ ! %! ’ 薄膜结构和发光性能的影响 ! 周军方庆清王保明刘艳美李貌闫方亮王胜男（安徽大学物理与材料科学学院，光电信息获取与控制教育部重点实验室，合肥 #$%%$ ）（年月日收到；年月日收到修改稿） #%%’ ( ( #%%’ $ $% 采用溶胶凝胶工艺在玻璃衬底上制备了（，，，，，，）薄膜射线衍射谱 ) *+ -. / ! 0 % 1 ( % 1# % 1$ % 12 % 13 % 14 % 15 6 7 ( , ! ! （）测试结果发现，在范围内，薄膜仍然保持氧化锌六角纤锌矿结构，（）面衍射峰位向大角度方 789 % 1 ( : ! : % 1$ %%# 向移动，超过时出现氧化镁立方相对镁含量为，，薄膜的光致发光谱研究表明：紫外发光峰随镁含 % 1$ 6 % 1 ( % 1# % 1$ 量的增加向短波方向移动对于薄膜，在，和的升温速率下，升温速率越快结晶程度越好 6 *+ -. / 3 3 13 4;=+ 6 % 1 % 1 ( 在相同升温速率下，随着退火温度从3%% ;升高到34% ; ，样品的结晶程度变好，当退火温度达到3% ; 时，结晶质量下降6 关键词：氧化锌，结构，禁带宽度，光致发光谱：，， ()** 5’33 5’3% 5’3%? 用溶胶凝胶法，制备出不同-. 含量掺杂的*+/ 薄 (1 引言膜，研究了不同-. 含量、不同退火处理对*+/ 薄膜的微结构及光学性能的影响6 氧化锌是一种重要的直接带隙的宽禁带半导体