浸没式光刻向22nm挺进.pdfVIP

EP E 电子工业专用设备 ·趋势与展望· Equipment for Electronic Products Manufacturing 浸没式光刻向22 nm 挺进 1 2 马建军 ，张崇巍 (1. 长庆实业集团有限公司，陕西西安710021 ； 2. 甘肃林业技术学院，甘肃天水741020) 摘 要： 简述了光学光刻技术在双重图形曝光、高折射率透镜材料及浸没介质、32 nm 光刻现状及 22 nm 浸没式光刻技术的进展，指出了光学光刻技术的发展趋势及进入22 nm 技术节点的前景。 关键词： 光学光刻； 32 nm 光刻； 22 nm 光刻进展； 193 nm 浸没式光刻； 双重图形光刻 中图分类号： TN305.7 文献标识码： A 文章编号： 1004-4507(2009)08-0001-08 193-nm Immersion Lithography with Double-Patterning－ Advance to the 22nm MA Jian-jun ，ZHANG Chongwei (1.Chang Qing Industry Ltd. Co. ，XiAn 710021, China; 2.Gansu Forestry Technological College, Tianshui 741020, China) Abstract: The optical lithography technology with double patterning, high refractive index lens materi- als and immersion media, 32 nm and 22 nm immersion lithography status of progress in lithography is outlined in this paper, and pointing out that the optical lithography technology trends and access to 22 nm technology nodes outlook. Keywords: Optics Lithography；32 nm Lithography；22 nm Lithography; Immersion Lithography ；Dual -patterning Exposure 随着半导体产业发展的不断加速，驱使芯片制 摩尔定律的驱动下，光学光刻业已成功地跨越了 造者在追求器件更高性能的同时又要追求加工成 45 nm 技术节点的量产阶段。目前，作为32 nm 芯片 本的经济性，从而竭力与摩尔定律保持一致的步 量产的唯一选择，采用双重图形曝光的193 nm 浸没 伐。这就使得娴熟的光学光刻技术拒绝放弃任何可 式光刻，冲破了重重障碍，已从技术的成熟性和量产 能的机会，以顽强的生命力不断地突破其先前认定 的经济性方面以无可取代的优势步入了32 nm 技术 的极限，达到最新前沿。 节点的量产期。 近年来，随着器件尺寸的不断缩小，作为现有 由45 nm 到32 nm 技术节点，光刻技术的突破 光学光刻技术的延伸，浸没式光刻因其能获得更高 主要表现在双重图形曝光技术的采用和曝光设备 的数值孔径而实现更高的分辨率深受业界青睐。在 k1 因子的进一步缩小，特别是自对准双重图形 收稿日期： 2009-07-30