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- 2017-06-02 发布于湖北
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第07章_半导体存储器
《数字电子技术基础》(第五版)教学课件清华大学 阎石 王红 联系地址:清华大学 自动化系 邮政编码:100084 电子信箱:wang_hong@tsinghua.edu.cn 联系电话:(010第七章 半导体存储器 第七章 半导体存储器 7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 一、一般结构形式 二、分类 1、从存/取功能分: ①只读存储器 (Read-Only-Memory) ②随机读/写 (Random-Access-Memory) 2、从工艺分: ①双极型 ②MOS型 7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 一、结构 两个概念: 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”,存储单元中有器件存入“1”,无器件存入“0” 存储器的容量:“字数 x 位数” 掩模ROM的特点: 出厂时已经固定,不能更改,适合大量生产 简单,便宜,非易失性 7.2.2 可编程ROM(PROM) 总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同 7.2.2 可编程ROM(PROM) 总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同 7.2.3 可擦除的可编程ROM(EPROM) 总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM(UVEPROM) 二、电可擦除的可编程ROM(E2PROM) 总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同
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