开关型的DC-DC及LDO的区别.pdfVIP

LDO LDO 是 low dropout regulator，意为低压差线性稳压器，是相对于 传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如 78xx 系列的芯片 都要求输入电压要比输出电压高出 2v~3v 以上，否则就不能正常工 作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如 5v 转 3.3v, 输入与输出的压差只有 1.7v，显然是不满足条件的。针对这种情况， 才有了 LDO 类的电源转换芯片。 LDO 是一种线性稳压器，使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET ，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电 压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100m 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压 的 LDO （低压降）稳压器通常使用功率晶体管 （也称为传递设备） 作为 PNP 。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的 压降电压，通常为 200m 左右；与之相 ，使用 NPN 复合电源晶体 管的传统线性稳压器的压降为 2 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为 它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的PNP 设备类似。 新的发展使用 MOS 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。 使用功率 MOS ，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。 低压降 （LDO ）线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小，这 些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁 路电容。新的LDO 线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30μ ，PSRR 为 60dB，静态电流 6μA （TI 的TPS78001 达到 Iq=0.5uA ），电压降只 有 100mV(TI 量产了号称 0.1m 的LDO) 。 如果输入电压和输出电压不是很接近，就要考虑用开关型的 DCDC 了，因为从上面的原理可以知道，LDO 的输入电流基本上是 等于输出电流的，如果压降太大，耗在 LDO 上能量太大，效率不高。 LDO 线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于 其中的调整管是用P 沟道 MOSFET ，而普通的线性稳压器是使用 PNP 晶体管。P 沟道 MOSFET 是电压驱动的，不需要电流，所以大大降 低了器件本身消耗的电流；另一方面，采用 PNP 晶体管的电路中， 为了防止 PNP 晶体管进入饱和状态而降低输出能力，输入和输出之 间的电压降不可以太低；而 P 沟道 MOSFET 上的电压降大致等于输 出电流与导通电阻的乘积。由于 MOSFET 的导通电阻很小，因而它 上面的电压降非常低。 如果输入电压和输出电压很接近，最好是选用 LDO 稳压器，可达 到很高的效率。所以，在把锂离子电池电压转换为 3 输出电压的应 用中大多选用 LDO 稳压器。虽说电池的能量最後有百分之十是没有 使用，LDO 稳压器仍然能够保证电池的工作时间较长，同时噪音较 低。 LDO 是一种微功耗的低压差线性稳压器，它通常具有极低的自有 噪声和较高的电源抑制 PSRR(Power Supply Rejection Ratio)?? LDO 是新一代的集成电路稳压器，它与三端稳压器最大的不同点 在于，LDO 是一个自耗很低的微型片上系统 （SoC）。它可用于电流 主通道控制，芯片上集成了具有极低线上导通电阻的 MOSFET ，肖 特基二极管、取样电阻和分压电阻等硬件电路，并具有过流保护、过 温保护、精密基准源、差分放