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Bi_1_2_Na_1_2_Ti_省略_电陶瓷制备工艺的优化及其结构分析_杨晓冬
第 28卷第 3期 南 京 工 业 大 学 学 报 Vo.l 28 No. 3
2006年 5月 JOURNAL OF NANJING UN IVERSITY OF TECHNOLOGY M ay. 2006
Bi Na TiO BaTiO 系无铅压电陶瓷制备工艺
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的优化及其结构分析
晓冬, 吕忆农,刘云飞,徐 明,施书哲,卢都友
(南京工业大学材料科学与工程学院, 江苏 南京 2 0009)
摘 要:借助正交试验设计, 通过对无铅压电陶瓷压电、介电性能的测试, 研究了 BaTiO 含量、预烧温度、烧结温度
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及保温时间对( - x)(B i N a )TiO xB aTiO (简写为 BNBT 00x)陶瓷性能的影响。研究结果表明制备 BNBT
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系陶瓷的最优化工艺条件为:BaTiO 摩尔分数 x =0.06、预烧温度 850 ℃、烧结温度 30 ℃、保温时间 2 h。通过
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XRD分析了 BNBT 系压电陶瓷的晶体结构类型、晶胞参数及晶格畸变随着 B aTiO 摩尔分数的变化, 确定了该体系
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的三方 四方的准同型相界在 x=0.06 ～0.08之间。
关键词:B i N a TiO BaTiO ;正交试验设计;准同型相界y
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中图分类号:TB34 文献标识码:A 文章编号: 67 -7643(2006)03 - 007 -05
Bi N a TiO BaTiO (简称 BNBT)系无铅压 系的MPB组成与三方晶格畸变的关系做了较为详
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电陶瓷是研究较早也是目前研究最多的压电陶瓷体 [7 - 8]
尽的研究 ,而目前对于 BNBT 体系这方面的报
系之一。该类陶瓷具有较优异的压电铁电性能,如 道还很少。为此,本文通过XRD分析了 BNBT系压
相对介电常数较低, 频率常数和机电耦合常数 k 或
t 电陶瓷的晶体结构类型、晶胞参数及晶格畸变随着
k33较高以及较大的各项异性等, 非常适合于压电陶 BaT iO 摩尔分数的变化,确定了该体系的三方 四方
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瓷换能器、超声传感器等方面的应用, 因此有望成为 的准同型相界在 x =0.06 ～0.08之间。
替代铅基压电陶瓷的候选材料。
Takenaka等人研究了 BNBT 体系的压电、介电 实验过程
性能以及机械性能, 并据此确定了该体系的准同型
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相界(MPB) 。初宝进 、廖梅松 、刘云飞 、孟
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