PECVD沉积SiO2及SiNx对p-GaN的影响.pdfVIP

第36卷第2期 红外与激光工程 2007年4月 V01．36No．2 In位鹏dandLaser Apr．2007 EngiIleeriIlg 陈宇1，严丽红2，王良臣1 (1．中科院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心，北京100083； 2．贝联(上海)有限公司，上海200118) 摘 中浓度较高的H原子使Mg一受主钝化，同时在pGaN材料表面发生反应形成浅施主特性的Nv空位。 高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的Si02和Si№材料，阻碍了H原子 物密度的提高，空穴浓度急剧下降，导致Ni／Au透明电极，一y特性严重恶化。选择较低的射频功率 (15W，13．56MHz)沉积模式，经过适当的退火，可以减小沉积Si02过程对pGaN的影响。 关键词：等离子增强化学气相沉积法； Si02；SiNx； ，-y特性 pGaN； 中图分类号：TN304．055’文献标识码：A InnuenceofPECVD and on Si02 SiN．xlayersp气；aN generated c髓N Yul，YANLi-hon酽，wANGLi锄g_chenl of ofSciences ResearchCenterforSeIIliconductor Senliconductor，Cllinese (1．EngiIl∞ring Inte刚cdTecllllology，Ins甑ne Acadenly 100083，Clli眦；2．Bi-Lilll【(Sh强ghai)Co，Ltd，Sh肌ghai200118，Chim) Beijing will worseafter and Abst腿ct：The，一ycharacteristicsofmeNi／Au Si№ Schott埘contactsget Si02 tobetlle on main mechaIlism depositionpGaN姗ou曲PECVD．Thedegradation appearS competition betweenme；decreasesofme of aIldmeion_induced me Mgacc印tors deep仃aps，aIld hydmgenpaSsivation increasesofmecreadonof Vacanciesandtlle of in materialinⅡlecourse hydrogenpGaN