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第34卷 第 12期 太 阳 能 学 报 20l3年 12门 ACTA ENERG1AE SOLARISSINICA 文章编号：0254—0096(2013)12-2164—06 高效多晶黑硅 电池的产线技术 韩长安 ，邹 帅 ，李建江 ，曹 芳 ， 王栩生 2，章灵军 ，苏晓东 (1．苏州大学一阿特斯光伏研究院，苏州大学物理与科学学院／能源学院， 苏州 215006 2．苏州阿特斯阳光电力集团研发部，苏州 210093) 摘 要：存产线 的基础j-，研发金属催化化学刻蚀技术，制备出具有微米／纳米复合绒面结构的多晶黑硅太阳 电池。通过对 硅纳米结构的修正刻蚀 ，实现 电池光学性能和电学性能的同步提高；通过系统的优化，黑硅 电池的 性能特圳是 短路 电流提高 150～300mA，这主要得益于电池蓝光响应特性的改善。 关键词：多晶黑硅 电池；金属催化化学刻蚀技术；纳米绒而；光电转换效率 中图分类号：TM914．4 1 文献标识码 ：A 硅_T艺无需 昂贵 的 PECVD工 艺是亮 点。有关 0 引 言 MCCE制备多晶黑硅 的报道不多，文献报道 的效率 近年来，“黑硅”(blacksili~㈣ )材料优异的陷光 仅为 12％～14％ 13]。而事实上 ，多晶硅电池光损失 性能引起 _r光伏业界的广泛关注 。所谓黑硅材 比单晶更严重，因此研发基于多晶硅的黑硅技术意 料是指在晶硅材料表面形成一层纳米量级的微结构 义重大。就 目前的报道来看，多晶黑硅要达到常规 组织(下称纳米绒面)，几乎能陷住所有可见光，外 电池的产线效率水平面临着巨大挑战。本文基于苏 观为黑色的新型材料，其反射率可低至零 。月j 州阿特斯 阳光 电力科技有 限公 司的产线技术和 黑硅材料制成的黑硅电池具有一定高宽比的纳米绒 MCCE技术相结合制备出多晶黑硅 电池，平均光 电 面，光、相当于入射到一个没有明显界面的介质，因此 转换效率 达 18．05％，部分 电池 片的效率可达 几乎无反射。相 比于常规电池的减反 (微米绒面 十 18．41％ 减反层)，川黑硅制备的太阳电池具有在较宽光谱 1 实验方法 范围(300～2000nm)有优异的陷光性能、对入射光 的接受角较常规 电池宽、有利于实际组件 的光 电转 本实验所使用多晶硅片为协鑫光伏公司生产 换效率等优点 。 (P型，15．6cm×15．6cm，电阻率为 1～3n ·em)，同 制备黑硅 的技术主要有激光刻蚀技术 J、等 一 批次分别采用常规技术和黑硅技术制备成电池 。 离子体干法刻蚀方法 ¨…、金属催化化学刻蚀法 多晶硅电池常规技术主要有 ：酸式制绒工艺、磷 (MCCE，Metal—CatalyzedChemicalEtching) 。其 元素扩散工艺、PECVD工艺制备 SiN 、上下 电极丝 中，MCCE主要采用如 舷 、Au、Cu等具有催化功能的 网印刷工艺4道工艺 。多晶黑硅电池技术在常规工 金属粒子随机附着在硅表面，金属粒子为阴极，硅为 艺上增加 了一道纳米绒面制备工艺 (如图1所示)， 阳极，同时在硅表面构成微 电化学反应通道 ，在金属 主要步骤为： 粒子下方通过化学溶液快速刻蚀硅基底形成纳米结 1)Ag纳米颗粒的沉积 ：将常规制绒后的硅片 构。美同周家可再生能源实验室Branz小组以Ag作 置于0．2mol／L