计算机组成原理第三章 第4讲 只读存储器及闪速存储器.ppt

只读存储器和闪速存储器 * * 3.4 只读存储器和闪速存储器 一、只读存储器 ROM叫做只读存储器。顾名思义，只读的意思是在它工作时只能读出，不能写入。然而其中存储的原始数据，必须在它工作以前写入。只读存储器由于工作可靠，保密性强，在计算机系统中得到广泛的应用。 3.4 只读存储器和闪速存储器 主要有两类： 掩模ROM：掩模ROM实际上是一个存储内容固定的ROM，由生产厂家提供产品。 可编程ROM：由用户后写入内容，有些可以多次写入。 一次性编程的PROM 多次编程的EPROM和EEPROM。 3.4 只读存储器和闪速存储器 1、掩模ROM的阵列结构和存储元 晶体管 (指MOS管) 结构示意图分析： MOS管导通代表存1，不通代表存0. 单译码结构 3.4 只读存储器和闪速存储器 2、掩模ROM的逻辑符号和内部逻辑框图 3、可编程ROM PROM：一次性编程ROM EPROM：光擦除可编程只读存储器。 EEPROM：电擦除可编程只读存储器。 勘误：P79，倒数第三行：可读-只读 3.4 只读存储器和闪速存储器 EPROM叫做光擦除可编程只读存储器。它的存储内容可以根据需要写入，当需要更新时将原存储内容抹去，再写入新的内容。 现以浮栅雪崩注入型MOS管为存储元的EPROM为例进行说明，结构如右图所示。 3.4 只读存储器和闪速存储器 现以浮栅雪崩注入型MOS管为存储元的EPROM为例进行说明，结构如图(a)所示，图(b)是电路符号。 若在漏极D端加上约几十伏的脉冲电压，使得沟道中的电场足够强，则会造成雪崩，产生很多高能量电子。此时，若在G2栅上加上正电压，形成方向与沟道垂直的电场，便可使沟道中的电子穿过氧化层而注入到G1栅，从而使G1栅积累负电荷。 由于G1栅周围都是绝缘的二氧化硅层，泄漏电流极小，所以一旦电子注入到G1栅后，就能长期保存。 3.4 只读存储器和闪速存储器 当G1栅有电子积累时，该MOS管的开启电压变得很高，即使G2栅为高电平，该管仍不能导通，相当于存储了“0”。反之，G1栅无电子积累时，MOS管的开启电压较低，当G2栅为高电平时，该管可以导通，相当于存储了“1”。图(d)示出了读出时的电路，它采用二维译码方式：x地址译码器的输出xi与G2栅极相连，以决定T2管是否选中；y地址译码器的输出yi与T1管栅极相连，控制其数据是否读出。当片选信号CS为高电平即该片选中时，方能读出数据。 3.4 只读存储器和闪速存储器 这种器件的上方有一个石英窗口，如图(c)所示。当用光子能量较高的紫外光照射G1浮栅时，G1中电子获得足够能量，从而穿过氧化层回到衬底中，如图(e)所示。这样可使浮栅上的电子消失，达到抹去存储信息的目的，相当于存储器又存了全“1”。 3.4 只读存储器和闪速存储器 这种EPROM出厂时为全“1”状态，使用者可根据需要写“0”。写“0”电路如图(f)所示，xi和yi选择线为高电位，P端加20多伏的正脉冲，脉冲宽度为0.1～1ms。EPROM允许多次重写。抹去时，用40W紫外灯，相距2cm，照射几分钟即可。 3.4 只读存储器和闪速存储器 E2PROM存储元 EEPROM，叫做电擦除可编程只读存储器。其存储元是一个具有两个栅极的NMOS管，如图(a)和(b)所示，G1是控制栅，它是一个浮栅，无引出线；G2是抹去栅，它有引出线。在G1栅和漏极D之间有一小面积的氧化层，其厚度极薄，可产生隧道效应。如图(c)所示，当G2栅加20V正脉冲P1时，通过隧道效应，电子由衬底注入到G1浮栅，相当于存储了“1”。利用此方法可将存储器抹成全“1”状态。 3.4 只读存储器和闪速存储器 这种存储器在出厂时，存储内容为全“1”状态。使用时，可根据要求把某些存储元写“0”。写“0”电路如图(d)所示。漏极D加20V正脉冲P2,G2栅接地，浮栅上电子通过隧道返回衬底，相当于写“0”。E2PROM允许改写上千次，改写（先抹后写）大约需20ms，数据可存储20年以上。 E2PROM读出时的电路如图(e)所示，这时G2栅加3V电压，若G1栅有电子积累，T2管不能导通，相当于存“1”；若G1栅无电子积累，T2管导通，相当于存“0”。 3.4 只读存储器和闪速存储器 4、闪速存储器（即，Flash存储器） 它具有巨大比特数目的存储容量。非易失性意味着存放的数据在没有电源的情况下可以长期保存。 FLASH存储器也翻译成闪速存储器，它既有RAM的优点，又有ROM的优点，是存储技术划时代的进展。 闪速存储器的特点： 固有的非易失性：断电后信息不会丢失。 廉价的高密度：相同容量的闪速存储器和DRAM相比，其位成本相近。 可执行性：闪速存储器可以直接与CPU相连，大大提