半导体物理与器件14章-1.ppt

根据以上分析，内量子效率可以写作 辐射复合率正比于P型掺杂。随着p型掺杂的增加，辐射复合率也增加。可是，注入效率随着p型掺杂的增加而下降。因此，有一个最适合的掺杂可以使内量子效率达到最大： 14.5.2 内量子效率 LED的一个非常重要的参数是外量子效率。产生的光子实际上是从半导体发出的。外量子效率通常是一个比内量子效率小得多的数。 一旦光子在半导体中产生，光子就有可能遇到三种损耗机制： 14.5.3 外量子效率 1、光子在半导体里被吸收 2、菲涅耳损耗 3、临界角损耗c PIN光电二极管比普通pn结光电二极管的瞬时光电流大很多，并具有优良的频率响应特性,在光纤通讯领域中采用最多。 半导体材料的响应截止波长?g=1.24/Eg，不同的材料可做不同波段的光电二极管。 Si的禁带宽度1.12eV,响应截止波长1.1?m；Ⅲ-Ⅴ族化合物常用来做光电二极管。 14.3.4 雪崩光电二极管 雪崩光电二极管与pn结或PIN光电二极管相似，只是它所加的反偏电压必须大到能引起碰撞电离。 光子吸收后会在空间电荷区产生电子-空穴对，光生电子-空穴现在可以通过碰撞电离产生电子-空穴对 雪崩光电二极管的电流增益与雪崩倍增因子有关。其显著的优点就是在光信号的放大中使信噪比得到了改善。 * 频率： 光吸收和碰撞电离产生的电子空穴对会被很快地扫过空间电荷区。 例：如果在10um宽的耗尽区中，饱和速度为 则： 输运时间： 假设电流增益是20，则带宽增益是100GHz。故其能够响应调制在微波频率的光波 14.3.5 光电晶体管 双极晶体管也可以用作光电探测器。在所有晶体管中，光电晶体管具有较高的增益。 下图14.20（a）是一个npn双极晶体管。大的Ｂ－Ｃ结面积，通常用于基极开路。 * 下图14.20（ｂ）显示了基极开路光电晶体管的结构。在Ｂ－Ｃ结加反偏电压，会产生电子－空穴对。他们被扫过空间电荷区，从而形成光电流 空穴被扫到Ｐ型基区，从而使得其电位相对于发射极为高电位。Ｂ－Ｅ结正偏，电子从发射极注入基极——正常的晶体管效应。 从图14.20(b) 可以得到： 是光电流，　是共基极电流增益。由于基极开路，我们有　　 由　和　的关系，上式变为：　　 求解　　，可得：　　 表明Ｂ－Ｃ结电流是　的　　倍。光电管则放大了基本的光电流。　　 * 　 由于有较大的结面积，光电晶体管的频率响应受限于B-C结电容。 由于基极实际上是器件的输入端，大的B—c结电容会因密勒效应而成倍增加，因此光电晶体管的频率响应会进一步降低。 但是，光电晶体管相对于雪崩光电二极管来说，是低噪声器件。 * 　光电晶体管也可以由异质结构成。正如第10章所讨论的，注入效率系数会随禁带宽度的不同而增大。由于禁带宽度的不同，轻掺杂基极约束不再适用：可以生产出重掺杂的窄基区器件，这种器件有较高的自锁电压和较高的增益， 14.4 光致发光和电致发光 在本章的第一节中，我们讨论了光吸收产生的过剩电子—空穴对。最后，过剩电子—空穴复合，在直接带隙材料中，这种复合过程可以发射一个光子。光发射的这种属性称为发光。 光致发光：光子吸收产生电子—空穴对时，复合过程产生的光子发射称为光致发光。 电致发光：是由于电流激发过剩载流子。从而发射光子的过程。 我们将主要讨论注入光致发光，它是注入pn结载流子的结果。光电二极管和激光二极管是这种现象的例子。在这些器件中，电能以电流的形式直接转换成光子能。 14.4光致发光和电致发光 14.4.1基本跃迁 产生的电子空穴对产生的同时，也会伴随着很多可能的复合过程。一些复合过程会在直接带隙材料中导致光子发射，但对于同样的材料．其他复合过程就不可以。 电子和空穴的产生与复合 辐射复合和非辐射复合 在复合过程中电子多余的能量可以以发射光子的形式释放出来，这种复合称为辐射复合，它是光吸收的逆过程。 在复合过程中电子的多余能量也可以以其它形式释放出来，而不发射光子，这种复合称为非辐射复合。 光电器件利用的是辐射复合过程，非辐射复合过程则是不利的。了解半导体中辐射复合过程和非辐射复合过程是了解光电器件的工作机制和进行器件设计的基础。 辐射复合 1.带间辐射复合 带间辐射复合是导带中的电子直接跃迁到价带与价带中的空穴复合。发射的光子的能量接近等于半 导体材料的禁带宽度。 由于半导体材料能带结构的不同，带间辐射复合又可以分为直接辐射复合和间接