第4章 双极型晶体管及相关器件04.pptVIP

第4章 双极型晶体管及相关器件 半导体器件物理 半导体器件物理 半导体器件物理 第4章 双极型晶体管及相关器件 半导体器件物理 第4章 双极型晶体管及相关器件 第4章 双极型晶体管及相关器件 半导体器件 Semiconductor Device 假设HBT的发射区和基区是不同的半导体材料，考虑它们的禁带宽度差对HBT电流增益所造成的影响。 当基区输运系数αT非常接近1时，共射电流增益可表示为 4.5.1 HBT的电流增益 对n-p-n型晶体管，将 代入上式，则 * 第4章 双极型晶体管及相关器件 因此，假设NCNV=NC′NV′，得到 其中NE和NB分别是发射区和基区的掺杂浓度，NC和NV分别是发射区半导体的导带和价带有效状态密度，EgE是发射区半导体的禁带宽度，NC′、NV′和EgB则是基区半导体上相应的参数。 发射区和基区中的少子浓度分别可写为 * 第4章 双极型晶体管及相关器件 * HBT技术的大部分发展都是基于AlxGa1-xAs/GaAs材料系，右图是一个基本n-p-n HBT结构。n型发射区以宽禁带的AlxGa1-xAs组成，而p型基区以禁带宽度较窄的GaAs组成。 因为发射区和基区材料间有很大的禁带宽度差，共射电流增益可以非常高。而同质结的双极型晶体管并无禁带宽度差存在，必须将发射区和基区的掺杂比提到很高，这是同质结与异质结双极型晶体管最基本的差异。 4.5.2 基本HBT结构 第4章 双极型晶体管及相关器件 n型集电区和n型次集电区分别以低掺杂和高掺杂的GaAs组成；为形成欧姆接触，发射区接触和AlGaAs层之间加了一层高掺杂n型GaAs。 * ΔEV增加了射基异质结处价带势垒的高度，减小了从基区到发射区的空穴注入，该效应使得HBT可以使用高掺杂浓度的基区，而同时维持高的发射极效率和电流增益；高掺杂基区可降低基区的方块电阻，且基区可以做得很窄而无须担心穿通效应。窄基区宽度可以降低基区渡越时间，提高截止频率。 穿通效应是指集基结的耗尽层完全穿透基区并到达射基结耗尽区的现象。 右图是HBT在放大模式下的能带图。发射区和基区的能带差在异质结界面上造成了能带偏移。HBT优异的特性与在异质界面处的价带不连续ΔEV直接相关。 第4章 双极型晶体管及相关器件 基区也可用缓变分布，使得基区的带隙由发射极一侧到集电极一侧逐步减小，图中虚线显示缓变基区HBT的能带图，存在一内建电场Ebi于准中性基区，少子渡越时间降低，增加了HBT的共射电流增益与截止频率。 在前面基本HBT的能带图中，导带上的能带不连续ΔEC是不希望的，它使得异质结中的载流子必须通过热离化发射或隧穿才能跨过或穿过势垒，因而降低了发射极效率和集电极电流。 上述缺点可由缓变层和缓变基区异质结来改善。下图显示一缓变层夹在射基异质结间的能带图，其中ΔEC已被消除，缓变层的厚度为Wg。 * 第4章 双极型晶体管及相关器件 4.5.3 先进的HBT * 课堂小结 晶体管的工作原理（主要是放大模式下，各个区域的电流成分） 双极型晶体管的静态特性（工作模式的电流-电压特性，4种工作模式） 双极型晶体管的频率响应 异质结双极型晶体管 第4章 双极型晶体管及相关器件 * 作 业 P145页，1 第4章 双极型晶体管及相关器件 Thanks for listening！ * 第4章 双极型晶体管及相关器件 半导体器件物理 半导体器件物理 半导体器件物理 第4章 双极型晶体管及相关器件 半导体器件物理 第4章 双极型晶体管及相关器件 *