第4章 双极型晶体管及相关器件03.pptVIP

第4章 双极型晶体管及相关器件 半导体器件物理 半导体器件物理 半导体器件物理 第4章 双极型晶体管及相关器件 半导体器件物理 第4章 双极型晶体管及相关器件 第4章 双极型晶体管及相关器件 半导体器件 Semiconductor Device * 左图是一个共基组态下的p-n-p晶体管，右图显示其输出电流-电压特性的测量结果，也标示出不同工作模式的对应区域。集电极与发射极电流几乎相同（?0≈1）且几乎与VBC无关，与理想晶体管的特性相符。 一、共基组态 晶体管基极引脚为输入与输出端所共用，其中VEB和VBC分别是输入与输出电压，IE和IC分别为输入与输出电流。 4.2.4 共基与共射组态下的电流-电压特性 IC/mA 第4章 双极型晶体管及相关器件 * 定义β0为共射电流增益，是IC增量对IB增量的比值： 二、共射组态 下图是一个共射组态下的p-n-p晶体管，将式IE=IC+IB代入IC=α0IE+ICBO中可得出共射组态下的集电极电流： 定义 该电流是当IB=0时，集电极与发射极间的漏电流。 第4章 双极型晶体管及相关器件 第4章 双极型晶体管及相关器件 * 因为?0一般非常接近于1，因此β01。所以基极电流的微小变化将造成集电极电流的剧烈变化。下图是不同输入端基极电流下，输出电流-电压特性的测量结果。注意当IB=0时，集电极和发射极间存在非零的ICEO。 共射组态的理想晶体管中，当VEC0时，对于给定的IB，集电极电流与VEC不相关。当假设中性基极区宽度W为定值时，上述特性成立。然而，延伸至基区的空间电荷区随着集基结电压而改变，使得基区宽度是集基偏压的函数，于是，集电极电流与VEC相关。 VEC/V * 当集基极间的反向偏压增加时，基区的宽度将减少，如下图（a）所示。导致基区的少子浓度梯度增加，使得扩散电流增加，因此β0也会增加。 下图（b）中IC随着VEC的增加而增加，并呈现出明显的斜率。这种电流变化称为厄雷效应，或基区宽度调制效应。将集电极电流外延与VEC轴相交，得到交点电压VA，称为厄雷电压。 第4章 双极型晶体管及相关器件 * 交流特性是当一小信号电压或电流叠加在直流偏置的情况。小信号指交流电压和电流的峰值小于直流电压和电流值。 4.3.1 频率响应 右上图是共射组态晶体管构成的放大器电路。给定直流输入电压VEB，会有直流基极电流IB和直流集电极电流IC流过晶体管，这些电流对应于右下图中的工作点。由外加电压VCC及负载电阻RL决定的负载线，以-1/RL的斜率与VEC轴相交于VCC。当交流小信号叠加于输入电压时，基极电流iB将随时间变化。iB变化使得输出电流iC随之变化，而iC变化是iB变化的β0倍。因此，晶体管将输入信号放大了。 4.3 双极型晶体管的频率响应 一、高频等效电路 第4章 双极型晶体管及相关器件 * 下图(a)是上述放大器的低频等效电路。 在更高频率下，必须在等效电路中加入适当的电容。正偏的射基结会有一耗尽电容CEB和一扩散电容Cd；而反偏的集基结只有耗尽电容CCB，如图 (b)所示。 其中 称为跨导。 而基区宽度调制效应，将产生一个有限的输出电导： 称为输入电导。 第4章 双极型晶体管及相关器件 * 另外，区极电阻rB和集电区电阻rC也考虑在内。图(c)是考虑上述各因素后的高频等效电路。 二、截止频率 图(c)，跨导gm和输入电导gEB依赖于晶体管的共基电流增益。低频，共基电流增益是一固定值；频率升高至临界点后，共基电流增益将会降低。 右图是典型的共基电流增益与工作频率之间的关系图。加入频率的影响后，共基电流增益为 5 10 6 10 7 10 8 10 9 10 10 10 1 . 0 1 0 a 0 b 10 2 10 3 10 dB 3 a b b f dB 3 a f T f 频率 Hz / 其中?0是低频（或直流）共基电流增益，f?是共基截止频率，工作频率f=f?时，?的大小为0.707?0（下降3dB）。 第4章 双极型晶体管及相关器件 * 右图显示了共射电流增益β，由上式可得 其中fβ称为共射截止频率： 由于?0≈1，fβf?。 另外，截止频率fT定义为|β|=1时的频率，由β的表达式可得 因此fT很接近但稍小于f?。 5 10 6 10 7 10 8 10 9 10 10 10 1 . 0 1 0 a 0 β 10 2 10 3 10 dB 3 a β β f dB 3 a f T f 频率 Hz / 第4章 双极型晶体管及相关器件 其中A是器件的截面积，p(x)是少子的分布。 空穴渡越基区所需的时间τB为 基区中，少子在dt时间间隔内移动的距离为dx=v(x)dt，其中v(x)是基区中的少子有效速度。 该速度与电流的关系为 截止频率fT也可表示为(2πτT)-1；其中τT