各种晶体管的导通条件及特性剖析.pptx

各种晶体管的导通条件及特性 SCR,GTO,GTR,MOSFET,IGBT 晶闸管(SCR) 阳极Anode 阴极kathode 导通条件：A-K之间加正向电压，G-K之间加正向电压(门极G上加触发脉冲)； 特性：当阳极电流上升到擎住电流(使晶闸管由关断到导通的最小电流)，即使门极G电压信号消失，晶闸管仍可继续导通 关断条件：晶闸管阳极电流小于维持电流(保持晶闸管导通的最小电流) G-Gate 门极 门极可关断晶闸管(GTO) G-Gate 门极 阳极Anode 阴极kathode 电力晶体管(GTR) 基极base C- collect 集电极 e- emitter 发射极 GTR在伏安特性区中只工作在饱和区和截止区 导通：在基极b施加驱动信号 关断：在基极b去掉驱动信号 电力场效应晶体管(MOSFET) S-Source 源极 D-Drain 漏极 G-Gate 门极 箭头往里为N沟道，虚线为增强型，实线为耗尽型 绝缘栅双极晶体管（IGBT）