第一章半导体.ppt

电子-空穴对 复合 动态平衡 热平衡浓度 §1.2 PN结及半导体二极管 1.2.1 PN结的形成 1.2.2 PN结的单向导电性 1.2.3 PN结的电容特性 1.2.4 半导体二极管及其参数 1.2.5 二极管的电路模型 PN结的单向导电性 PN结正偏时，呈现的电阻很小——导通 PN结反偏时，呈现的电阻很大——截止 判断二极管工作状态的方法(恒压降模型) 首先假设二极管断开，求得二极管正极与负极间电压。如该电压大于导通电压，则二极管导通，两端电压为二极管的导通电压；如该电压小于导通电压，则二极管截止。 D共阴极接法：若断开两管均有正偏大于导通电压，则阳极电位最高者优先导通，阴极被钳位，据此电位在判其他管子；若断开均为反偏则均截止。 D共阳极接法：若断开两管均有正偏大于导通电压，则阴极电位最低者优先导通，阳极被钳位，据此电位在判其他管子；若断开均为反偏则均截止。 §1.3 特殊二极管 除普通二极管外，还有许多特殊二极管，如稳压二极管、变容二极管、光电二极管等。 1.3.1 稳压二极管 1.3.2 变容二极管 1.3.3 光电二极管 1.3.4 发光二极管 §1.4 半导体三极管 1.4.1 三极管的结构 1.4.2 三极管的工作原理 1.4.3 三极管的特性曲线 1.4.4 三极管的主要参数 半导体三极管图片 电流关系： IBICIE IC ≈IE 三极管工作情况总结 利用各极电位判三极管状态 R＝5k，则 已知三极管处于放大区，且三个极电位已知，判断三个极名称，三极管类型和材料。 解：②电位居中，故②为B；U23 =-11.3-(-12)=0.7,故材料为Si，③——E，则①——CU23 0——NPN 三、温度对三极管特性曲线的影响 UBE: T? ? 载流子运动? ? 对同一IB,UBE? ICBO: T? ? b区、c区的本征激发少子? ? ICBO ? 工作于动态的三极管，真正的放大信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?iB，相应的集电极电流变化为?iC，则共射交流电流放大倍数为： (2)集-射极反向击穿电压 当集-射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 例：在一个单管放大电路中，电源电压为30V，已知三只管子的参数如表所示，请选用一只管子，并简述理由。 T1管ICBO小，温度稳定性好，但?很小，放大能力差； T3管ICBO小且?较大，但电源电压为30V，而UCEO仅为20V，有可能击穿； T2管ICBO较小，?较大，且UCEO大于电源电压，故选之。 半导体器件的型号 国家标准对半导体器件的命名如下: 一二三四五 教学要求： 1、正确理解以下基本概念：二极管的单向导电性，三极管的电流控制作用，场效应管的电压控制作用。 2、熟练掌握二极管、三极管、场效应管的外特性（V－I特性曲线）。 3、熟练掌握二极管、三极管、场效应管的模型。 4、熟悉二极管、三极管、场效应管的主要参数。 (3) 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC流过三极管，所发出的焦耳热为： PC =iC·uCE 必定导致结温上升，所以PC有限制。 PC?PCM iC uCE iCuCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 100 100 15 ? 20 50 50 UCEO/V 0.05 0.1 0.01 ICBO/μA T3 T2 T1 参数 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：P普通管、W稳压管、Z整流管、 K开关管 G高频小功率管、A高频大功率管、 X低频小功率管、D低频大功率管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 器件的电极数目 §1.5 场效应晶体管 场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G栅极 S源极 D漏极 一、结构 1.5.1 结型场效应管 导电沟道 N P P G栅极 S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S P N N G栅极 S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S 二、工作原理（以N沟道为例） UDS=0V、 UGS0时 N N G S D UGS ID N P P UDS PN结反偏，|UGS|越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。