第五章半导体器件与二极管电路.ppt

一、半导体的导电特性 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 半导体有温敏、光敏和掺杂等导电特性。 热敏性： 当环境温度升高时，导电能力显著增强。（可做成温度敏感元件，如热敏电阻） 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化。（可做成各种光电元件，如光电电阻、光电二极管、光电晶体管） 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变。（可做成各种不同用途的半导体器件， 如二极管、晶体管和晶闸管等） 二、输出电压平均值 UO（AV）和负载电流的平均值IL（AV）的估算 已知变压器副边电压有效值为U2 四、二极管的选择 对整流电路要研究清楚以下问题： 1. 电路的工作原理：二极管工作状态、波形分析 2. 输出电压和输出电流的平均值：输出为脉动的直流电压 3. 整流二极管的选择：二极管承受的最大整流平均电流和最高反向工作电压 为分析问题简单起见，设二极管为理想二极管，变压器内阻为0。 整流二极管的伏安特性： 实际特性 理想化特性 正向导通电压为0，正向电阻为0。 5.2　二极管整流电路 一、工作原理 u2的正半周，D导通， A→D→RL→B，uO= u2 。 u2的负半周，D截止，承受反向电压，为u2； uO=0。 5.2.1 单相半波整流电路的分析方法及其基本参数 优点：使用元件少。 缺点：输出波形脉动大；直流成分小；变压器利用率低。 考虑到电网电压波动范围为±10％，二极管的极限参数应满足： 三、二极管的选择 5.2.2　单相桥式整流电路 一、单向桥式整流　　电路的组成 在实用电路中，多采用全波整流电路，最常用的是单向桥式整流电路 二、工作原理 1. u2 0时，电流由+流出，经　D1、RL、D2流入-。 2. u2 0时，电流由-流出，经　D3、RL、D4流入+。 三、输出电压平均值 UO(AV) 和输出电流的平均值IO(AV) 考虑到电网电压波动范围为±10％，二极管的极限参数应满足： 讲明为什么选择整流二极管仅依据IF和UR。 * 半导体器件基础与二极管电路 半导体器件基础与二极管电路 第五章 第五 章半导体器件基础与二极管电路 5.1 半导体二极管的工作原理与特性 5.2 二极管整流电路 5.3 二极管峰值采样电路 5.4 二极管检波电路 5.1 半导体二极管的工作原理与特性 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 5.1.1 PN结及其单向导电性 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体 将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。 价电子 共价键 二、本征半导体的晶体结构 当温度 T = 0 K 时，半导体不导电，如同绝缘体。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 若 T ? ，将有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子，在原来的共价键中留下一个空位——空穴。 T ? 自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱。 　　空穴可看成带正电的载流子。 三、本征半导体中的两种载流子 杂质半导体有两种 N 型半导体 P 型半导体 1、 N 型半导体(Negative) 　　在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如　　磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型　　半导体)。 常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。 四、杂质半导体 本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。 见下页 自由电子浓度远大于空穴的浓度，即 n p 。 　　电子称为多数载流子(简称多子)， 　　空穴称为少数载流子(简称少子)。 5 价杂质原子称为施主原子。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 自由电子 施主原子 　　 2、 P 型半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 　　在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。 +3 　　空穴浓度多于电子浓度，即 p n。空穴为多数载流子，电