应用反短-窄沟效应优化亚阈值SRAM单元.pdfVIP

第４９卷　 第４期 哈　 尔　 滨　 工　 业　 大　 学　 学　 报 Ｖｏｌ４９ Ｎｏ４ 　 　 ２０ １７年４月 ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＨＡＲＢＩＮ ＩＮＳＴＩＴＵＴＥ ＯＦ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ Ａｐｒ． ２０１７ ＤＯＩ：１０．１１９１８／ ｊ．ｉｓｓｎ．０３６７⁃６２３４．２０１５１１１０８ 　 　 　 　 　 　 应用反短／ 窄沟效应优化亚阈值 ＳＲＡＭ 单元 蔡江铮，袁　 甲，陈黎明，黑　 勇 （中国科学院微电子研究所 智能感知中心，北京 １０００２９） 摘　 要：为缓解传统存储器单元尺寸设计方法在亚阈值区引入的面积和外围电路开销问题，采用晶体管的反短沟效应和反窄沟 效应改进传统方法，不仅解决了亚阈值电压下单元面积和外