项目0半导体基础知识——场效应管.pptVIP

* * * 项目0 半导体基础知识 1.4 场效应管 场效应晶体管（单极型）是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。 结型场效应管 按结构不同场效应管有两种: 绝缘栅型场效应管 本节仅介绍绝缘栅型场效应管 按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类 每类又有N沟道和P沟道之分 11.2.1 数字投音器 场效应管分成的JFET（结型场效应管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）两大类。 场效应管 绝缘栅场效应管 漏极D 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。 金属电极 栅极G 源极S 1、N沟道增强型MOS管的结构、特点 SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 在P型衬扩散两种N型半导体。 绝缘栅场效应管 G S D Metal-Oxide-Semicnductor 2、 N沟道增强型管的工作原理 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。 绝缘栅场效应管 G P型硅衬底 N+ N+ S D + – 当