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Bi2S3纳米棒的可控合成和表征.pdf
问北科技师班学院学报第25 卷第2 期,2011 年6 月
Joumal of Hehei Normal University of Science Technology Vol. 25 No.2 Jun ,2011
B乌 S3 纳米棒的可按合成和表征
韩璐1 ,曹栋2 ,杜鹏飞张锐1
(1河北科技师范学院,问北秦皇岛,俑创∞;2 华北赛是岛电力公司;3 中石油天燃气管道局第四工程公司)
摘要:采用水热法,以自i(N0 )3 • S日2 0 N~S .9日2
和 0 为前驱体,通过不阔的皮应条件合成出不间形貌的
3
日
Bi XRD 利 TEM 进行了分析和表征。结果表明,~N~S.9日2 0 Bi(N0 )3. 5 2
0
乌纳米棒。所得产物用 与
2 3
2: 1 ,水热合成温度为 150 C,前处理模式为超声振荡时,所得 Bi S 纳米棒结晶If较高,形税均
的摩尔比为
2 3
匀,并且通过改变水热时间长短可得划不同长度的 Bi S
纳米棒。
2 3
关键询:硫化销;纳米棒;合成和表征
:7.)热法
中圈分类号: TB383 文献标志码:A 文意编号: 1672-7983(2011)02αlO4峭
硫化锦(Bi S )是一种V-VI族直接带隙半导体材料,属于正交晶系,其能带带隙为1.3 eV[I ,2.l 0 研
z 3
究发现,随着Bi S
的纳米化,会增强其氧化还原能力,具有更优异的光电催化活性,在光电转化、光电
2 3
二极管阵列以及由于具有 Peltier 效应而导政的热电冷却方面具有潜在的应用,所以近年来引跑了人们
越来越多的关注[川。 Bi S Bi2, S3 由于具有独特
纳米半导体的性质取决于它的形貌和尺寸,低维纳米
3
z
的光、电、磁等性质及其潜在应用前景而引起了金世界的广泛关注[5 , 6] 。为此,寻求经济、简单便利的方
法制备具有独特性质的纳米 Bi S
半导体材料一直是化学家和材料学家面临的重要课题。
Z 3
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