《模拟电子教学资料》第1章第四节场效应晶体管.pptVIP

2.5.3 共漏极放大电路 直流分析 VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGS= VG－VS= VG－IDR ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2 VDS= VDD－IDR 由此可以解出VGS、ID和VDS。 与三极管共集电极电路对应 直流通路： Rg的作用？ 交流分析 输出电阻 2.5.4 共栅极放大电路 Ro≈Rd 例题1 共源 已知： gm=0.3mA/V IDSS=3mA VP=-2V 解：静态分析： VGS=-RID ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2 代入参数得： 3ID2-7ID+3=0 ID=0.57mA VGS=-1.14V VDS=VDD-ID(Rd+R)=8.31V +vi - C1 0.01u Q Rg 10M R 2K Rd 15K RL 18K C2 0.1u C3 10u VDD 18V +vo - （不合理，舍去） ID=1.77mA 例题1解 动态分析： Ri=Rg=10MΩ Ro=Rd=15KΩ §1.4 场效应晶体管 场效应管是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，是仅由一种载流子参与导电的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 场效应管： 结型 N沟道 P沟道 MOS型 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 §1.4. 1 结型场效应管(Junction Field Effect Transistor) 1. 结型场效应管 箭头方向表示栅结正偏或正偏时栅极电流方向。 N沟道结型场效应管的结构动画(2-8) D(Drain):漏极，相当c G(Gate):栅极，相当b S(Source):源极，相当e 2. 工作原理 ID （1）VGS对导电沟道的影响： (a) VGS=0，VDS=0，ID=0 结型场效应管通常工作在反偏的条件下。N沟道结型场效应管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区。 N沟道结型场效应管工作原理： 场效应管的工作原理(2-9) 工作原理 (c) |VGS | =? VP ? ，导电沟道被全夹断 (b) 0? VGS ? ? VP ? ? VGS ?? ? 耗尽层变宽 VGS控制导电沟道的宽窄，即控制ID的大小。 VP(VGS(OFF) )：夹断电压 工作原理 （2）VDS对导电沟道的影响： VDS0 但 |VGD|=|VGS-VDS| | VP |. VDS增加，d端电位高，s端电位低，导电沟道内存在电位梯度，所以耗尽层上端变宽。 VDS?? ID ? ID 工作原理 (b) | VGS- VDS | = | VP |时，导电沟道在a点相遇，沟道被夹断。 VGS=0时，产生夹断时的ID称为漏极饱和电流IDSS ID 工作原理 (c) VDS??夹端长度? ID=IDSS基本不变。 ID 场效应管的工作原理动画(2-9) 3. 特性曲线 VDS=10V时的转移特性曲线 IDSS是在VGS = 0， VDS |VP | 时的漏极电流 当|vGS - vDS |? | vP |后，管子工作在恒流区，vDS对iD的影响很小。实验证明，当|vGS - vDS |? | VP | 时，iD可近似表示为： 特性2 特性 §1.4. 2绝缘栅型场效应管( Insulated Gate Field Effect Transistor) 绝缘栅型场效应管IGFET又称金属氧化物场效应管MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻可达1015?。 增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道， 在VDS作用下无iD。 耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道， 在VDS作用下有iD。 1. N沟道增强型MOSFET 浓度较低的P型硅; SiO2 薄膜绝缘层; 两个高掺杂的N型区; 从N型区引出电极作为D和S; 在绝缘层上镀一层金属铝并引出一个电极作为G; D(Drain):漏极，相当c G(Gate):栅极，相当b