第14章半导体器件.ppt

晶体管电流放大的实验电路  设 UCC= 6V，改变可变电阻 RB , 则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化，测量结果如下表所示。 2. 各电极电流关系及电流放大作用 晶体管电流测量数据 结论: (1) IE = IB + IC ，符合基尔霍夫定律 (2) IC ?? IB ， IC ? IE (3) ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大 变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质: 用一个微小电流的变化去控制一个较大电流 的变化。 (a) NPN 型晶体管； 电流方向和发射结与集电结的极性 (4) 要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。 (b) PNP 型晶体管 3.晶体管内部载流子的运动规律 IE IBE ICE ICBO 发射结正偏, 发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE, 多数扩散到集电结。 扩散到集电结边缘的电子在电场作用下以漂移进越过集电结，被集电区收集，形成ICE。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 3. 晶体管内部载流子的运动规律 IC = ICE+ICBO ? ICE IB = IBE? ICB