第三讲场效晶体管放大电路.pptVIP

第一节 绝缘栅场效晶体管 一、结构 绝缘栅场效晶体管（MOS管）分为增强型和耗尽型两类，各类又有P沟道和N沟道两种。 二、电压控制原理 在N沟道增强型场效晶体管的漏极d与源极s之间加上工作电压VDS后，管子的输出电流ID就受栅源电压VGS的控制。 ?当栅源之间的电压VGS=0时，由于漏极d与衬底B之间的PN结处于反向偏置，漏源极间无导电沟道，因此漏极电流ID=0，管子处于截止状态。 ?当VGS增加至某个临界电压时，感应电子层将两个分离的N+区接通，形成N型导电沟道，于是产生漏极电流ID，管子开始导通。 ?继续加大VGS，导电沟道就会愈宽，输出电流ID也就愈大。 三、特性曲线 1.转移特性 指漏源电压VDS为确定值时，漏极电流iD与栅源电压vGS之间的关系曲线。 N沟道增强型MOS管转移特性曲线见右图。  ?在vGS=0时，iD=0； ?当vGSVGS（th）时，iD随vGS的增大而增大。 2.输出特性曲线 指栅源电压VGS为确定值时，漏极电流iD与漏源电压vDS的关系曲线。按场晶体管的工作情况可将输出特性分为三个区域。  四、增强型与耗尽型效晶体管的主要差异 N沟道耗尽型场效晶体管的结构与增强型场效晶