第1章 电路和电路元件第4版(姜).pptVIP

部分电压源照片 2.光电二极管 光电二极管是一种将光能转换成电流的器件，其PN结封装在具有透明聚光窗的管壳内。光照射后导通，导通电流与光照强度相关。 I/μA U/V 无光照射电流很小（暗电流） 受到光照，反向电流增大（光电流） 正向特性类同于普通二极管 注意光电二极管使用时要反向接入电路中，即阳极接电源负极，阴极接电源正极。 电流源（理想电流源）： I — 源电流 IS — 端电压 U — 端电流 I U O I IS 输出电流 等于源电流 ，与 输出电压和外电路的情况无关。 I IS 不许开路 1.3.2 实际电源的模型 1.实际电压源 — 端电压随端电流的增加而减小 ，开路状态， — 开路电压 ，短路状态， — 短路电流 实际电压源在工作时要避免短路！ U O I US 实 际 电 源 + U - a b I R + U - a b I R R0 + - US 2.实际电流源 U O I IS 端电流随端电压的增加而减小 。 实 际 电 源 + U - a b I R + U - a b I R R0 IS 等效---对外电路等效 3.两种实际电源模型的等效互换 互换---实际电压源可变换为实际电流源， 实际电流源可变换为实际电压源 + U - a b I R R0 + - US + U - a b I R R’0 IS 实 际 电 源 + U - a b I R [例题1.3.1] 已知图示实际电源电路中，R=0时I=2A，R=4Ω时I=1.2A，求：⑴电流源模型；⑵电压源模型；⑶R=2Ω时的I值 [解] ⑴ 电流源模型如图所示 + U - a b I R R0 IS 电流源模型 当R=0时，I=IS，故IS=2A 且有 R0=6Ω R=4Ω时I=1.2A 实 际 电 源 + U - a b I R ⑵电压源模型如图所示 R0=6Ω + U - a b I R R0 US 电压源模型 + - 根据电源等效互换条件 US=R0IS=6 ×2=12V ⑶当R=2Ω时，由右图 由电流源模型可求得同样结果。 1.4 二极管 1.4.1 PN结及其单向导电性 1.4.2 二极管的特性和主要参数 1.4.3 二极管的工作点和理想特性 1.4.4 稳压二极管 1.4.5 发光二极管和光电二极管 1.4.1 PN结及其单向导电性 物质按导电能力分为：导体、半导体、绝缘体。 本征半导体— 纯净的半导体（如硅、锗、砷化镓等） P型半导体— 在纯净的半导体硅、锗中掺入少量 三价元素。— 多数载流子为空穴。 N型半导体— 在纯净的半导体硅、锗中掺入少量 五价元素。— 多数载流子为电子。 1.本征半导体 完全纯净 的具有晶体 结构的半导 体称为本征 半导体 。它 具有共价键 结构。 锗和硅的原子结构 单晶硅中的共价键结构 价电子 硅原子 第1章 上页 下页 返回 1.4.1 PN结及其单向导电特性 在半导 体中，同 时存在着 电子导电 和空穴导 电。空穴 和自由电 子都称为 载流子。 它们成对 出现，成 对消失。 在常温下自由电子和空穴的形成 复合 自由电子 本征 激发 第1章 上页 下页 返回 空穴 2. N型半导体和P型半导体 原理图 P 自由电子 结构图 磷原子 正离子 P+ 在硅或锗中掺 入少量的五价元 素，如磷或砷、 锑，则形成N型 半导体。 多余价电子 少子 多子 正离子 在N型半导体中，电子是多子，空穴是少子 第1章 上页 下页 N型半导体 返回 P型半导体 在硅或锗中 掺入三价元素， 如硼或铝、镓， 则形成P型半导 体。 原理图 B B- 硼原子 负离子 空穴 填补空位 结构图 在P型半导体中，空穴是多子，电子是少子。 多子 少子 负离子 第1章 上页 下页 返回 用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上，形成P型半导体区域和N型半导体区域，在这两个区域的交界处就形成一个PN结 。 P 区 N 区 P区的空穴向N区扩散并与电子复合 N区的电子向P区扩散并与空穴复合 空间电荷区 内电场方向 3. PN结的形成 第1章 上页 下页 返回 空间电荷区 内电场方向 在一定条件下，多子扩散和少子漂移达到动态平衡。 P区 N区 多子扩散 少子漂移 第1章 上页 下页 返回 在一定条件下，多子扩散和少子漂移达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本上稳定。 内电场阻挡多子的扩散运动，推动少子的漂移运动。 空间电荷区 内电场方向 P N 多子扩散 少子