半导体物理与器件课件研究报告.ppt

集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗: PC= ICUCE 极限参数 Ic增加时，? 要下降。当?值下降到线性放大区?值的70％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。 （1）集电极最大允许电流ICM （2）集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PC= ICUCE PCM PCM 反向击穿电压 BJT有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种： ① U（BR）EBO——集电极开路时，发射极与基极之间允许的最大反向电压。其值一般几伏～十几伏。 ② U（BR）CBO——发射极开路时，集电极与基极之间允许的最大反向电压。其值一般为几十伏～几百伏。 ③ U（BR）CEO——基极开路时，集电极与发射极之间允许的最大反向电压。 在实际使用时，还有 U（BR）CER、U（BR）CES 等击穿电压。 - - (BR)CEO U (BR)CBO U (BR)EBO U 晶体管安全工作区 十一晶体管开关特性 晶体管的开关作用 晶体管开关过程 晶体管开关时间参数 发射极电容充电时间 基区渡越时间 集电极耗尽层渡越时间 集电极电容充电时间 十二场效应管 MOS管结构 1.N沟道增强型MOS管 （1）结构