讲义_19探测器_V2概念.ppt

Fig.17.20说明Franz-Keldysh效应的能带图。图中示出强反偏压作用下P+-n结（或肖特基势垒结）的n区的能带弯曲 Franz-Keldysh效应的物理基础可从图17.20所示简单的能带弯曲模型来理解 图中x表示离开结平面的距离。在远离结的区域没有电场，光子至少须具有带隙能量Eα-Eυ以产生电子跃迁，如图中的（a）。但在电场很强的耗尽区内，如图中（b）这种跃迁也能产生，这种光子的能量比带隙小，激发电子还达不到导带，接着电子以隧道穿透势垒进入导带。这样，导带边事实上就展宽进入带隙，以致产生有效带隙的变化ΔE，它由下式给出[34] (17.15) 式中，m*是载流子有效质量，q是电子电荷值，ε是电场强度。 Franz-Keldysh效应大大提高了探测器工作在吸收边附近波长的灵敏度。 电吸收探测器的最大优点是，只要增加反偏压就能起电切换作用，从低吸收状态到高吸收状态。这就可能用同一半导体材料制作波长兼容的发射器和探测器。利用这一原理的器件是发射器/探测器终端，如图17.21[36]所示。此器件有双重功能，加正偏压是光发射器，加高反偏压是光探测器。 Fig.17.21应用Franz-Keldysh效应的集成光发射器/探测器终端 制作与波导结构串联的器件能在光传输线中用作发送/接收开关。因为Franz-Keldysh效应引起α改变很大，其作用很有效。如用前面举过