半导体器件物理学习资料二.pptVIP

  • 21
  • 0
  • 约1.2万字
  • 约 96页
  • 2017-06-06 发布于四川
  • 举报
练习 简单描述P-N结制作方法和杂质分布之间的关系。 什么是空间电荷区? 什么是势垒区? 什么是耗尽层? 内建电场是如何形成的,方向如何? 试写出突变结和线性缓变结杂质分布的表达式。 试概括平衡时的P-N结有哪些特点。 练习 4-1. 当P-N结外加正向偏置电压时,外加电压形成的电场方向与内建电场______(相反/一致),导致势垒区总的电场强度______(增强/减弱),这说明空间电荷数量______(增多/减少),也就意味着势垒区宽度______(增大/减小),势垒高度______(增大/减小)。此时,电场强度的变化导致载流子的漂移运动______(大于/小于)扩散运动,形成______(净扩散/净漂移),以致势垒区边界载流子浓度______(大于/小于)该区内部,从而在N区形成______(从N区势垒边界向N区内部/从N区内部向N区势垒边界)的______(电子/空穴)的______(扩散/漂移),在P区形成______(从P区势垒边界向P区内部/从P区内部向P区势垒边界)的______(电子/空穴)的______(扩散/漂移)。 作业 P55 2(补充订正)、3、5 表面对反向漏电流的影响 主要表现在以下三个方面 表面漏电流。 P-N结沟道漏电流。 表面复合电流。 引起上述差别的主要原因有

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档