zzz电子课件.ppt

黄河水利职业技术学院 曾令琴 前言半导体的基础知识 电子技术的应用举例 电子技术的发展，推动计算机技术的发展，使之“无孔不入”，应用广泛！ 广播通信：发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电话、手机 网络：路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器 工业：钢铁、石油化工、机加工、数控机床 交通：飞机、火车、轮船、汽车 军事：雷达、电子导航 航空航天：卫星定位、监测 医学：γ刀、CT、B超、微创手术 消费类电子：家电（空调、冰箱、电视、音响、摄像机、照相机、电子表）、电子玩具、各类报警器、保安系统 一、电子技术的发展史： 三、如何学习这门课程 四、考查方法 1. 会看：读图，定性分析 2. 会算：定量计算 第8章 常用半导体器件 §8、1 半导体基础知识 谢谢！ 2. 双极型三极管的电流放大作用 晶体管芯结构剖面图 e发射极 集电区N 基区P 发射区N b基极 c集电极 晶体管实现电流 放大作用的内部结构条件 (1)发射区掺杂浓度很高，以便有 足够的载流子供“发射”。 (2)为减少载流子在基区的复合机 会，基区做得很薄，一般为几个 微米，且掺杂浓度较发射极低。 (3)集电区体积较大，且为了顺利 收集边缘载流子，掺杂浓度很低。 可见，双极型三极管并非是两个PN 结的简单组合，而是利用一定的掺杂工艺制作而成。因此，绝不能用两个二极管来代替，使用时也决不允许把发射极和集电极接反。 晶体管实现电流放大作用的外部条件 N N P UBB RB ＋ － (1)发射结必须“正向偏置”，以利于发射区电子的扩散，扩散 电流即发射极电流ie，扩散电子的少数与基区空穴复合，形 成基极电流ib，多数继续向集电结边缘扩散。 UCC RC ＋ － (2)集电结必须“反向偏置”，以利于收集扩散到集电结边缘的 多数扩散电子，收集到集电区的电子形成集电极电流ic。 IE IC IB 整个过程中，发射区向基区发射的电子数等于基区复合掉的电子与集电区收集的电子数之和，即： IE=IB+IC 结论 由于发射结处正偏，发射区的多数载流子自由电子将不断扩散到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流IE。 1. 发射区向基区扩散电子的过程 由于基区很薄，且多数载流子浓度又很低，所以从发射极扩散过 来的电子只有很少一部分和基区的空穴相复合形成基极电流IB，剩下的绝大部分电子则都扩散到了集电结边缘。 2. 电子在基区的扩散和复合过程 集电结由于反偏，可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘 的电子拉入集电区，从而形成较大的集电极电流IC。 3. 集电区收集电子的过程 只要符合三极管发射区的杂质浓度大大于基区的掺杂浓度，基区的掺杂浓度又大大于集电区的杂质浓度，且基区很薄的内部条件，再加上晶体管的发射结正偏、集电结反偏的外部条件，三极管就具有了放大电流的能力。 三极管的集电极电流IC稍小于IE，但远大于IB，IC与IB的 比值在一定范围内基本保持不变。特别是基极电流有微小 的变化时，集电极电流将发生较大的变化。例如，IB由40 μA增加到50μA时，IC将从3.2mA增大到4mA，即： 显然，双极型三极管具有电流放大能力。式中的β值称为 三极管的电流放大倍数。不同型号、不同类型和用途的三 极管，β值的差异较大，大多数三极管的β值通常在几十 至几百的范围。 由此可得：微小的基极电流IB可以控制较大的集电极电流IC，故双极型三极管属于电流控制器件。 3. 双极型三极管的特性曲线 所谓特性曲线是指各极电压与电流之间的关系曲线，是三 极管内部载流子运动的外部表现。从工程应用角度来看，外 部特性更为重要。 (1) 输入特性曲线 以常用的共射极放大电路为例说明 UCE=0V UBE /V IB /?A 0 UCE =0V UBB UCC RC + + RB 令UBB从0开始增加 IB IE=IB UBE 令UCC为0 UCE=0时的输入特性曲线 UCE为0时 UCE =0.5V UCE=0V UBE /V IB /?A 0 UBB UCC RC + + RB 令UBB重新从0开始增加 IB IC UBE 增大UCC 让UCE=0.5V UCE =1V UCE=0.5V UCE=0.5V的特性曲线 继续增大UCC 让UCE=1V 令UBB重新从0开始增加 UCE=1V UCE=1V的特性曲线 继续增大UCC使UCE=1V以上的多个值，结果发现：之后 的所有输入特性几乎都与UCE=1V的特性相同，曲线基本不 再变化。 实用中三极管的UCE值一般都超过1V，所以其输入特性通常采用UCE=1V时的曲线。从特性曲线可看出，双极型三极管的输入特性与二极管的正向特性非