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JCS9N90WT-吉林华微电子股份有限公司
N 沟道增强型场效应晶体管
R N-CHANNEL MOSFET
JCS9N90WT
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
9 A
ID
900 V
VDSS
1.35 Ω
Rdson(@Vgs=10V)
Qg 43 nC
用途 APPLICATIONS
高频开关电源 High efficiency switch
电子镇流器 mode power supplies
LED 电源 Electronic lamp ballasts
based on half bridge
LED power supplies
产品特性 FEATURES
低栅极电荷 Low gate charge
(典型值 13pF)
低 Crss Low Crss (typical 13pF )
开关速度快 Fast switching
产品全部经过雪崩测试 100% avalanche tested
高抗 dv/dt 能力 Improved dv/dt capability
RoHS 产品 RoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
无卤素 包 器件重量
订 货 型 号 印 记 封 装
Halogen 装 Device
Order codes Marking Package
Free Packaging Weight
JCS9N90WT-O-W-N-B JCS9N90WT TO-247 否 NO 条管 Tube 5.20g(typ)
版本:201412C 1/8
R JCS9N90WT
绝对最大额定值 ABSOLUTE
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